| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 引言 | 第12-13页 |
| 1 绪论 | 第13-52页 |
| ·TTF及基于TTF的分子导体的产生 | 第13-14页 |
| ·以BEDT-TTF为代表的分子导体的发展 | 第14-15页 |
| ·单组分分子金属 | 第15-18页 |
| ·第一个单组分分子金属 | 第16-18页 |
| ·研究单组分分子金属的意义 | 第18页 |
| ·含有多个TTF单元的分子体系 | 第18-28页 |
| ·稠合的TTF衍生物 | 第19-22页 |
| ·通过π共轭体系连接的多TTF分子体系 | 第22-24页 |
| ·σ键连的多TTF分子体系 | 第24-28页 |
| ·常见TTF衍生物的合成策略及方法 | 第28-38页 |
| ·交叉偶合反应(Cross-Coupling Reaction)及应用 | 第29-31页 |
| ·前驱体的合成 | 第31-33页 |
| ·锂化反应和单臂TTF衍生物 | 第33-34页 |
| ·伪Wittig(Pseudo-Wittig)反应 | 第34-36页 |
| ·基于甲基铝(Me_3Al)的TTF衍生物合成 | 第36-37页 |
| ·TTF衍生物合成方法小结 | 第37-38页 |
| ·TTF衍生物的金属配位化合物 | 第38-44页 |
| ·具有螺旋形态的TTF分子体系及其配位组装 | 第44-46页 |
| ·TTF衍生物的应用 | 第46-50页 |
| ·非线性光学方面的应用 | 第46-47页 |
| ·分子电子器件方面的应用 | 第47-48页 |
| ·光控分子器件和材料 | 第48-50页 |
| ·选题依据及本课题的研究内容 | 第50-52页 |
| 2 TTF衍生物CR_n-TTF、CR_n-TTP(n=1-6)的合成及导电性能 | 第52-77页 |
| ·实验仪器及试剂 | 第52-55页 |
| ·主要实验设备及分析仪器 | 第52页 |
| ·实验试剂 | 第52-54页 |
| ·部分试剂的纯化处理 | 第54页 |
| ·实验装置 | 第54-55页 |
| ·单TTF骨架衍生物CR_n-TTF的合成(n=1-6) | 第55-63页 |
| ·2,3-二氰乙硫基-6,7-二烷硫基四硫富瓦烯(CR_n-TTF)的合成路线 | 第55-57页 |
| ·二-(1,3-二硫环戊烯-2-硫酮-4,5-二硫)合锌酸四乙基铵盐的合成(1) | 第57页 |
| ·4,5-二甲硫基-1,3-二硫代环戊烯-2-硫酮(bmdt)的合成(2a) | 第57-58页 |
| ·4,5-二乙硫基-1,3-二硫代环戊烯-2-硫酮(bedt)的合成(2b) | 第58-59页 |
| ·4,5-二丙硫基-1,3-二硫代环戊烯-2-硫酮的合成(2e) | 第59页 |
| ·其它几种4,5-二烷硫基-1,3-二硫代环戊烯-2-硫酮的合成(2d-2f) | 第59-60页 |
| ·4,5-二氰乙硫基-1,3-二硫代环戊烯-2-硫酮(bcdt)的合成(3) | 第60-61页 |
| ·4,5-二氰乙硫基-1,3-二硫代环戊烯-2-酮的合成(4) | 第61页 |
| ·2,3,6,7-四氰乙硫基四硫富瓦烯(tces-TTF)的合成(5) | 第61-62页 |
| ·2,3-二氰乙硫基-6,7-二烷硫基四硫富瓦烯的合成(6a-6f) | 第62-63页 |
| ·CR_n-TTF产物结构的鉴定 | 第63-64页 |
| ·双稠合TTF衍生物CR_n-TTP的合成(n=1-6) | 第64-68页 |
| ·5-(4',5'-二烷硫基-1',3'-二硫代环戊烯-2'-叉)-1,3,4,6-四硫并环戊烯-2-酮(9)的合成 | 第66-67页 |
| ·2-(4',5'-二烷硫基-1',3'-二硫代环戊烯-2'-叉)-5-(4',5'-二氰乙硫基-1',3'-二硫代环戊烯-2'-叉)-1,3,4,6-四硫并环戊烯(10)的合成 | 第67-68页 |
| ·CR_n-TTP产物结构的鉴定 | 第68-69页 |
| ·CR_n-TTF及CR_n-TTP类化合物的电导率测定及电化学性能 | 第69-74页 |
| ·两极法测量电导率方法简介 | 第69-70页 |
| ·电导率的测定 | 第70页 |
| ·CR_n-TTF类化合物的电化学性能(n=1-6) | 第70-72页 |
| ·CR_n-TTP类化合物的电化学性能(n=1-6) | 第72-74页 |
| ·产物的结构与导电性能讨论 | 第74-75页 |
| ·本章小结 | 第75-77页 |
| 3 具有螺旋结构的Ag(Ⅰ)-TTF金属配位化合物的合成 | 第77-108页 |
| ·功能配位化合物与螺旋结构进展 | 第77-80页 |
| ·螺旋结构概述 | 第78-79页 |
| ·Ag配位化合物概述 | 第79-80页 |
| ·含有螺旋结构的Ag(Ⅰ)-TTF配位聚合物的合成 | 第80-81页 |
| ·实验仪器及试剂 | 第80页 |
| ·实验方法简介 | 第80-81页 |
| ·带有螺旋结构的配位聚合物[Ag_4(tces-TTF)_2(CF_3SO_3)_2](CF_3SO_3)_2(11)的合成及晶体结构表征 | 第81-90页 |
| ·配位聚合物11的合成 | 第82-83页 |
| ·配位聚合物11的X-射线晶体学参数 | 第83-84页 |
| ·配位聚合物11的晶体结构 | 第84-88页 |
| ·配位聚合物11中的螺旋结构 | 第88-90页 |
| ·带有meso-螺旋结构的配位聚合物[Ag(CE-TTF)(CF_3SO_3)]·acetone(12)的合成及晶体结构表征 | 第90-98页 |
| ·配位聚合物12的合成 | 第90-91页 |
| ·配位聚合物12的X-射线晶体学参数 | 第91-92页 |
| ·配位聚合物12的晶体结构 | 第92-95页 |
| ·配位聚合物12的罕见的meso-Helix结构 | 第95-96页 |
| ·关于化合物12中溶剂分子及金属盐阴离子的讨论 | 第96-98页 |
| ·配位化合物Ag[tces-TTF]_2SbF_6(13)的合成及晶体结构表征 | 第98-105页 |
| ·化合物Ag[tces-TTF]_2SbF_6(13)的合成 | 第99页 |
| ·配位化合物13的X-射线晶体学参数 | 第99-101页 |
| ·配位化合物13的晶体结构 | 第101-105页 |
| ·结构与导电性能分析 | 第105-107页 |
| ·本章小结 | 第107-108页 |
| 4 具有特殊结构的dimt类配位化合物的合成及结构性能 | 第108-131页 |
| ·具有特殊螺旋结构的[Ag_2(bmdt)_2](SbF_6)_2·acetone(14)的合成及结构研究 | 第108-119页 |
| ·配位聚合物14的合成 | 第109页 |
| ·配位聚合物14的X-射线晶体学参数 | 第109-111页 |
| ·配位聚合物14的晶体结构 | 第111-113页 |
| ·配位聚合物14特殊的多螺旋结构 | 第113-116页 |
| ·配位聚合物14的拓扑结构 | 第116-119页 |
| ·三维配位聚合物网络[Ag_4(bcdt)_4](CF_3SO_3)_2·(CF_3SO_3)_2·acetone(15)的合成、结构及其配体(bcdt)的组装研究 | 第119-127页 |
| ·配位聚合物15的合成 | 第119-120页 |
| ·配位聚合物15及bcdt配体(化合物3)的X-射线晶体学参数 | 第120-121页 |
| ·配位聚合物15的晶体结构 | 第121-127页 |
| ·结构与导电性能分析 | 第127-128页 |
| ·配位聚合物15的配位组装初探 | 第128-129页 |
| ·本章小结 | 第129-131页 |
| 5 Ag_n(R_2dmit)X_n·Y的配位组装初探 | 第131-152页 |
| ·具有(4,4)-网格结构的Ag(bedt)ClO_4(16)的合成及结构 | 第131-137页 |
| ·配位聚合物16的合成 | 第131-132页 |
| ·配位聚合物16的X-射线晶体学参数 | 第132-133页 |
| ·配位聚合物16的晶体结构 | 第133-137页 |
| ·具有准3D构型的Ag(bmdt)_2ClO_4(17)的合成及结构 | 第137-141页 |
| ·配位化合物17的合成 | 第137页 |
| ·配位化合物17的X-射线晶体学参数 | 第137-138页 |
| ·配位化合物17的晶体结构 | 第138-141页 |
| ·具有(4,4)-网格结构的Ag_2(bedt)_2(SbF_6)_2acetone(18)的合成、结构及配位组装 | 第141-148页 |
| ·配位聚合物18的合成 | 第142页 |
| ·配位聚合物18的X-射线晶体学参数 | 第142-144页 |
| ·配位聚合物18的晶体结构 | 第144-148页 |
| ·新的Ag-TTF配位体系Ag_n(R_2dmit)_nX_n·Y的组装规律初探 | 第148-151页 |
| ·本章小结 | 第151-152页 |
| 结论 | 第152-154页 |
| 参考文献 | 第154-165页 |
| 博士论文创新点摘要 | 第165-166页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第166-168页 |
| 致谢 | 第168-169页 |
