| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-12页 |
| 参考文献 | 第11-12页 |
| 第二章 MSM光电探测器的基本原理和结构设计 | 第12-24页 |
| §2．1 器件结构 | 第12-14页 |
| §2．2 能带分析 | 第14-16页 |
| §2．3 器件原理 | 第16-18页 |
| §2．4 电流-电压特性 | 第18-20页 |
| §2．5 平带电压和击穿电压 | 第20页 |
| §2．6 电极结构和时间常数的关系 | 第20-23页 |
| 参考文献 | 第23-24页 |
| 第三章 光谱响应研究 | 第24-31页 |
| 参考文献 | 第30-31页 |
| 第四章 制版及版图设计 | 第31-35页 |
| 参考文献 | 第34-35页 |
| 第五章 器件工艺探索 | 第35-51页 |
| §5．1 器件工艺流程图 | 第35页 |
| §5．2 材料生长的剖面图 | 第35页 |
| §5．3 Si基的MSM光电探测器的具体制作工艺 | 第35-50页 |
| §5．3．1 硅片的表面处理 | 第35-36页 |
| §5．3．2 氧化硅片，生成6000A厚的SiO_2 | 第36-37页 |
| §5．3．3 表面疏水处理 | 第37页 |
| §5．3．4 第一版光刻——台面的光刻 | 第37-45页 |
| §5．3．5 疏水处理—烘干片子—涂胶—光刻第二版—刻蚀第二版 | 第45页 |
| §5．3．6 溅射金属 | 第45-47页 |
| §5．3．7 剥离 | 第47-50页 |
| 参考文献 | 第50-51页 |
| 第六章 测试和结论 | 第51-56页 |
| 致谢 | 第56页 |