LiNbO3压电薄膜的制备及在足底压力检测中的应用研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-9页 |
| ·课题背景 | 第6-7页 |
| ·本课题国内外研究现状 | 第7-8页 |
| ·本课题研究的意义及内容 | 第8-9页 |
| 第二章 力—电转换原理及分析 | 第9-14页 |
| ·力—电转换概述 | 第9页 |
| ·压电效应 | 第9-10页 |
| ·压电材料 | 第10-14页 |
| ·压电晶体 | 第10-11页 |
| ·压电陶瓷 | 第11-13页 |
| ·新型压电材料 | 第13-14页 |
| 第三章 射频磁控溅射 | 第14-26页 |
| ·引言 | 第14页 |
| ·辉光放电 | 第14-17页 |
| ·辉光放电及其物理基础 | 第14页 |
| ·自流辉光放电 | 第14-15页 |
| ·射频辉光放电 | 第15-17页 |
| ·射频溅射原理 | 第17-20页 |
| ·离子轰击固体表面所引起的各种效应 | 第17-18页 |
| ·影响溅射沉积速率的因素及实验条件的选择 | 第18-19页 |
| ·射频溅射特点及溅射膜的结构 | 第19-20页 |
| ·磁控溅射 | 第20-23页 |
| ·磁控溅射镀膜机理 | 第20-22页 |
| ·溅射过程 | 第22-23页 |
| ·溅射粒子的成膜过程 | 第23-24页 |
| ·射频磁控溅射系统 | 第24-26页 |
| 第四章 溅射沉积铌酸锂薄膜 | 第26-45页 |
| ·铌酸锂 | 第26-29页 |
| ·铌酸锂的结构及特性 | 第26-28页 |
| ·铌酸锂的物理性质及其主要特性 | 第28-29页 |
| ·铌酸锂薄膜的制备技术 | 第29-31页 |
| ·溅射法(sputtering) | 第29-30页 |
| ·脉冲激光沉积法(PLD) | 第30页 |
| ·溶胶—凝胶法(Sod-gel) | 第30-31页 |
| ·金属有机物化学气相沉积法(MOVCD) | 第31页 |
| ·不同方法制备的铌酸锂薄膜的性能 | 第31-33页 |
| ·晶化动力学过程取向生长的分析 | 第33-40页 |
| ·形核机理的简单描述 | 第33-38页 |
| ·晶粒生长过程中应力对薄膜取向生长的影响 | 第38-40页 |
| ·铌酸锂薄膜的应用及发展前景 | 第40-42页 |
| ·溅射沉积铌酸锂 | 第42-45页 |
| ·铌酸锂靶材 | 第42页 |
| ·衬底材料的选择 | 第42-43页 |
| ·参数设计及溅射沉积过程 | 第43-45页 |
| 第五章 足底压力检测系统设计 | 第45-64页 |
| ·检测系统设计 | 第45-46页 |
| ·压力检测的数据采集分析系统 | 第46-56页 |
| ·PCD-320A数据采集分析仪 | 第47-48页 |
| ·PCD-320A软件PCD-30A的主要操作 | 第48-56页 |
| ·被检测对象和方法 | 第56页 |
| ·压力检测结果与数据 | 第56-64页 |
| 第六章 总结与展望 | 第64-67页 |
| ·小结 | 第64-65页 |
| ·未来展望 | 第65-67页 |
| 参与科研 | 第67页 |
| 发表论文 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
