半导体光放大器超快非线性效应的数值分析模型
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-17页 |
| ·研究背景和意义 | 第8-9页 |
| ·半导体光放大器的基本介绍 | 第9-10页 |
| ·半导体光放大器的模型和比较 | 第10-15页 |
| ·本文模型的选取 | 第15-16页 |
| ·本文的工作 | 第16-17页 |
| 2 半导体光放大器的基本理论与模型 | 第17-26页 |
| ·半导体材料的能带结构 | 第17-18页 |
| ·SOA 的非线性效应 | 第18-19页 |
| ·采用的SOA 基本模型 | 第19-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 3 实现模型的数学方法 | 第26-41页 |
| ·模型考虑的因素 | 第26-27页 |
| ·模型算法处理 | 第27-38页 |
| ·本模型的一些考虑 | 第38-39页 |
| ·模型存在的一些问题 | 第39-40页 |
| ·本章小节 | 第40-41页 |
| 4 模拟与结果分析 | 第41-58页 |
| ·脉冲宽度对非线性效应的影响 | 第41-46页 |
| ·各种非线性效应的分析 | 第46-50页 |
| ·色散效应在模型中的反映和分析 | 第50-52页 |
| ·频谱分析 | 第52-56页 |
| ·模型的限制 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 5 总结和展望 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 附录 模拟使用的参数值表 | 第65-66页 |