| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-18页 |
| ·热电材料的发展现状 | 第8-12页 |
| ·热电效应及其应用 | 第8-10页 |
| ·提高热电转换效率的途径 | 第10-11页 |
| ·热电材料的发展现状 | 第11-12页 |
| ·光伏材料的发展现状 | 第12-15页 |
| ·光生伏特效应及其应用 | 第12-13页 |
| ·提高光电转换效率的途径 | 第13-14页 |
| ·光伏材料的发展现状 | 第14页 |
| ·SnS薄膜的研究进展 | 第14-15页 |
| ·本论文的研究内容及研究意义 | 第15-18页 |
| 第2章 薄膜材料的常规制备方法及分析 | 第18-30页 |
| ·薄膜材料的常规制备方法 | 第18-22页 |
| ·真空热蒸发法 | 第18-19页 |
| ·磁控溅射法 | 第19-20页 |
| ·分子束外延法(molecular beam epitaxy简称MBE) | 第20-21页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第21-22页 |
| ·电化学法 | 第22页 |
| ·薄膜材料的性能分析 | 第22-28页 |
| ·薄膜材料的结构特性分析 | 第23-28页 |
| ·薄膜材料的光学特性分析 | 第28页 |
| ·本章小结 | 第28-30页 |
| 第3章 nc-Si:(Al_2O_3+SiO_2)复合薄膜的制备及其热电特性的研究 | 第30-44页 |
| ·nc-Si:(Al_2O_3+SiO_2)复合薄膜的制备 | 第30-32页 |
| ·实验装置 | 第30页 |
| ·衬底的清洗及热蒸发源的处理 | 第30-31页 |
| ·薄膜的沉积及退火 | 第31-32页 |
| ·nc-Si:(Al_2O_3+SiO_2)复合薄膜的结构特性分析 | 第32-38页 |
| ·XRD测试结果及分析 | 第33-34页 |
| ·Raman结果及分析 | 第34-36页 |
| ·SEM结果及分析 | 第36-37页 |
| ·TEM测试结果及分析 | 第37页 |
| ·光致发光(PL)谱分析 | 第37-38页 |
| ·nc-Si:(Al_2O_3+SiO_2)复合薄膜的热电特性测试及分析 | 第38-42页 |
| ·测试原理 | 第38-40页 |
| ·热电特性测试仪结构 | 第40页 |
| ·nc-Si:(Al_2O_3+SiO_2)复合薄膜的热电特性测试结果及分析 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 第4章 SnS薄膜的制备及其特性研究 | 第44-56页 |
| ·SnS薄膜的制备 | 第44-47页 |
| ·实验装置 | 第44页 |
| ·衬底的清洗及蒸发源的准备 | 第44-46页 |
| ·薄膜的沉积及退火 | 第46-47页 |
| ·SnS薄膜的结构特性分析 | 第47-50页 |
| ·XRD测试结果及分析 | 第47-48页 |
| ·AFM测试结果及分析 | 第48-49页 |
| ·SEM和能谱仪(EDS)测试结果与分析 | 第49-50页 |
| ·SnS薄膜的光学特性 | 第50-54页 |
| ·UV-VIS-NIS测试结果及分析 | 第50-52页 |
| ·PL谱分析 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 致谢 | 第64-66页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第66页 |
