| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 插图索引 | 第11-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-25页 |
| ·引言 | 第13页 |
| ·碳纳米管的结构 | 第13-16页 |
| ·碳纳米管的制备及纯化 | 第16-18页 |
| ·碳纳米管的结构检测 | 第18-21页 |
| ·碳纳米管的电磁性质 | 第21-22页 |
| ·碳纳米管的应用前景 | 第22-23页 |
| ·本文的工作和目的 | 第23-25页 |
| 第2章 基于第一性原理的非平衡格林函数方法 | 第25-39页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·密度泛函理论 | 第25-31页 |
| ·波恩－奥本海默(Born-Oppenheimer)近似 | 第26页 |
| ·Hartree-Fock近似 | 第26页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第26-27页 |
| ·KS方程 | 第27页 |
| ·局域密度近似 | 第27-29页 |
| ·赝势近似 | 第29-31页 |
| ·结合密度泛函和非平衡格林函数方法的电子输运 | 第31-38页 |
| ·边界条件和电子散射态 | 第33-34页 |
| ·密度矩阵 | 第34-35页 |
| ·复围道积分 | 第35-36页 |
| ·计算非平衡密度矩阵的自洽方法 | 第36-37页 |
| ·非平衡有效势 | 第37页 |
| ·电导公式 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第3章 氮掺杂单壁碳纳米管的电子输运特性 | 第39-50页 |
| ·引言 | 第39-40页 |
| ·计算模型和方法 | 第40-41页 |
| ·结果分析与讨论 | 第41-46页 |
| ·理想管掺杂前后的电子结构 | 第41-43页 |
| ·(8, 0)管掺杂前后的透射系数 | 第43-44页 |
| ·掺杂前后的电压-电流曲线特性 | 第44-46页 |
| ·高浓度氮掺杂管的电子输运性能 | 第46-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第4章 含氮复合缺陷在碳管输运中的研究 | 第50-67页 |
| ·引言 | 第50-51页 |
| ·SW缺陷掺杂对碳管的电子输运的影响 | 第51-59页 |
| ·SW缺陷掺杂管结构分析 | 第51-53页 |
| ·含SW缺陷管掺杂管的电子结构 | 第53-55页 |
| ·SW缺陷中氮掺杂不同位置对输运的影响 | 第55-59页 |
| ·含氮的空位缺陷对电子输运的影响 | 第59-65页 |
| ·半导体管中的复合缺陷的影响 | 第60-63页 |
| ·金属型碳管中的复合缺陷 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 第5章 硼掺杂单壁碳纳米管的电子输运 | 第67-77页 |
| ·引言 | 第67-68页 |
| ·计算模型和方法 | 第68-69页 |
| ·掺杂对电子结构的影响 | 第69-72页 |
| ·硼掺杂对输运性能的影响 | 第72-75页 |
| ·本章小结 | 第75-77页 |
| 第6章 门电压情况下的掺杂纳米管输运模拟 | 第77-87页 |
| ·引言 | 第77-78页 |
| ·门电压下硼掺杂管的模拟 | 第78-83页 |
| ·门电压下氮掺杂管的模拟 | 第83-85页 |
| ·本章小结 | 第85-87页 |
| 结论与展望 | 第87-90页 |
| 参考文献 | 第90-101页 |
| 致谢 | 第101-102页 |
| 附录A 攻读学位期间所发表学术论文 | 第102页 |