射频元件模型分析与低噪声放大器设计
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·RFIC技术的现状及发展趋势 | 第9-10页 |
| ·射频元件模型研究的意义及研究现状 | 第10-11页 |
| ·低噪声放大器研究的意义及研究现状 | 第11-13页 |
| ·射频集成电路的设计方法及工具 | 第13-14页 |
| ·论文的研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 射频元件模型分析 | 第15-26页 |
| ·CMOS工艺中的电容模型 | 第15-17页 |
| ·CMOS工艺中的电感模型 | 第17-20页 |
| ·MOSFET模型分析 | 第20-22页 |
| ·射频(RF)设计中的基本概念 | 第22-24页 |
| ·小结 | 第24-26页 |
| 第三章 低噪声放大器分析与设计 | 第26-41页 |
| ·LNA的主要指标及设计目标 | 第26-27页 |
| ·单端低噪声放大器设计 | 第27-36页 |
| ·电路设计 | 第27-28页 |
| ·输入、输出匹配 | 第28-29页 |
| ·选取合适的栅宽及其他关键参数 | 第29-30页 |
| ·线性度分析和M3宽度的选取 | 第30-31页 |
| ·电路仿真结果及讨论 | 第31-33页 |
| ·低功耗处理 | 第33-35页 |
| ·结论 | 第35-36页 |
| ·差分结构低噪声放大器设计 | 第36-40页 |
| ·电路设计 | 第36-37页 |
| ·栅宽的计算及输入、输出匹配 | 第37-38页 |
| ·电路仿真结果及讨论 | 第38-40页 |
| ·结论 | 第40页 |
| ·小结 | 第40-41页 |
| 第四章 混频器的分析与设计 | 第41-51页 |
| ·混频器的主要指标和设计目标 | 第41-42页 |
| ·电路设计 | 第42-46页 |
| ·混频器的工作原理 | 第42-43页 |
| ·射频(RF)端口阻抗匹配 | 第43-44页 |
| ·本振(LO)端口阻抗匹配 | 第44-45页 |
| ·中频(IF)输出阻抗匹配 | 第45-46页 |
| ·仿真结果及讨论 | 第46-48页 |
| ·栅电阻对阻抗匹配和线性度的影响 | 第48-50页 |
| ·小结 | 第50-51页 |
| 第五章 总结 | 第51-53页 |
| ·本文总结 | 第51页 |
| ·未来的展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 附录 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文和参加科研情况 | 第59页 |
