摘要 | 第1-6页 |
ABSTRACT | 第6-9页 |
目录 | 第9-11页 |
第一章 绪论 | 第11-22页 |
·概述 | 第11-18页 |
·碳的价键结构 | 第11-12页 |
·碳的相图 | 第12-14页 |
·碳的同素异形体 | 第14-18页 |
·与本课题相关的研究现状 | 第18-20页 |
·本课题的研究内容、方法和意义 | 第20-22页 |
·研究方法 | 第20-21页 |
·研究内容和意义 | 第21-22页 |
第二章 正电子湮没谱学研究方法 | 第22-38页 |
·正电子谱学的发展概况 | 第22-23页 |
·正电子湮没谱学的基本理论 | 第23-27页 |
·正电子湮没过程 | 第23页 |
·正电子湮没率与电子密度 | 第23-24页 |
·正电子捕获模型 | 第24-25页 |
·正电子湮没Doppler展宽谱和角关联谱与电子动量 | 第25-27页 |
·正电子湮没实验方法 | 第27-38页 |
·正电子寿命测量 | 第27-31页 |
·多普勒展宽谱测量 | 第31-33页 |
·慢正电子谱测量 | 第33-38页 |
第三章 石墨和纳米碳中的微观缺陷及电子特性研究 | 第38-51页 |
·前言 | 第38-40页 |
·实验方法 | 第40-42页 |
·样品制备 | 第40页 |
·正电子试验 | 第40-42页 |
·结果和结论 | 第42-50页 |
·石墨和纳米碳中电子动量分布特征 | 第42-45页 |
·石墨和纳米碳中自由电子密度随温度的变化规律 | 第45-48页 |
·石墨和纳米碳表面微观结构 | 第48-50页 |
·小结 | 第50-51页 |
第四章 掺杂和未掺杂金刚石薄膜微观结构的慢正电子束研究 | 第51-66页 |
·前言 | 第51-53页 |
·金刚石薄膜的性能及应用 | 第51页 |
·金刚石薄膜的CVD沉积原理及方法 | 第51-53页 |
·当前金刚石薄膜产业化中亟需解决的难题 | 第53页 |
·实验方法 | 第53-55页 |
·结果与讨论 | 第55-65页 |
·掺杂和未掺杂金刚石薄膜比较 | 第55-58页 |
·未掺杂金刚石薄膜退火样品 | 第58-60页 |
·高掺硼金刚石薄膜退火样品 | 第60-61页 |
·低掺硼金刚石薄膜退火样品 | 第61-63页 |
·掺硫金刚石薄膜退火样品 | 第63-65页 |
·小结 | 第65-66页 |
第五章 C_(60)薄膜的慢正电子研究 | 第66-77页 |
·前言 | 第66-68页 |
·C_(60)分子的结构与性能 | 第66-67页 |
·C_(60)薄膜的性能及应用 | 第67页 |
·C_(60)薄膜的制备 | 第67-68页 |
·C_(60)薄膜的研究热点 | 第68页 |
·实验方法 | 第68-70页 |
·结果与讨论 | 第70-76页 |
·不同的沉积离子能量对C_(60)薄膜微观结构的影响 | 第70-75页 |
·退火对C_(60)薄膜微观结构的影响 | 第75-76页 |
·小结 | 第76-77页 |
第六章 总结 | 第77-79页 |
参考文献 | 第79-85页 |
致谢 | 第85-86页 |
攻读硕士学位期间完成论文情况 | 第86页 |