| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 1 绪论 | 第7-12页 |
| ·研究背景 | 第7页 |
| ·CCD与 CMOS固体图像传感器的研究现状和发展趋势 | 第7-10页 |
| ·固体图像传感器的研究现状与发展趋势 | 第8页 |
| ·CCD与 CMOS图像传感器的特性比较 | 第8-10页 |
| ·基于标准 BiCMOS技术的APD图像传感器 | 第10-11页 |
| ·本文的主要工作与内容 | 第11-12页 |
| 2 APD探测器特性研究 | 第12-32页 |
| ·描述 APD的几个特性参数 | 第12-15页 |
| ·量子效率和响应度 | 第12页 |
| ·暗电流 | 第12-13页 |
| ·雪崩倍增因子 | 第13-14页 |
| ·噪声特性 | 第14页 |
| ·温度特性 | 第14-15页 |
| ·GM-APD的特性参数 | 第15-18页 |
| ·PN结的击穿 | 第18-29页 |
| ·热击穿 | 第19页 |
| ·隧道击穿 | 第19-20页 |
| ·雪崩击穿 | 第20-29页 |
| ·雪崩击穿机理 | 第20-21页 |
| ·雪崩击穿的条件 | 第21-24页 |
| ·影响雪崩击穿电压的因素 | 第24-29页 |
| ·APD的工作模式 | 第29-31页 |
| ·无源模式 | 第29-30页 |
| ·有源模式 | 第30页 |
| ·门控模式 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 3 雪崩光电二极管噪声特性研究 | 第32-46页 |
| ·光电器件的噪声特性 | 第32-38页 |
| ·热噪声 | 第32-34页 |
| ·散粒噪声 | 第34-38页 |
| ·PIN光电二极管的噪声模型 | 第38-41页 |
| ·PIN雪崩光电二极管的噪声模型 | 第41-44页 |
| ·PIN-APD低噪声前端电子学研究 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 4 APD探测器 PN结数值分析与模拟 | 第46-68页 |
| ·数学理论 | 第46-49页 |
| ·有限差分法离散化微分方程 | 第46-48页 |
| ·非线性方程的线性化 | 第48-49页 |
| ·一维器件模拟 | 第49-62页 |
| ·半导体器件的基本方程 | 第49-50页 |
| ·基本方程的离散化 | 第50-52页 |
| ·边界条件 | 第52-53页 |
| ·基本变量的选择 | 第53页 |
| ·典型算法 | 第53-55页 |
| ·模拟结果与分析 | 第55-62页 |
| ·二维器件模拟 | 第62-67页 |
| ·二维器件模拟算法 | 第62-64页 |
| ·模拟结果与分析 | 第64-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 5 结束语 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-72页 |