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一种采用0.25um CMOS工艺设计的5GHz VCO

第一章 引言第1-17页
   ·研究压控振荡器(VCO)的意义第12页
   ·压控振荡器的发展历史和现状第12-14页
   ·压控振荡器的发展趋势第14-15页
   ·本文的目标与主要内容第15-17页
     ·本文的目标第15页
     ·本文的主要内容第15-17页
第二章 相关知识回顾第17-21页
第三章 设计考虑第21-46页
   ·振荡器结构的选择第21-32页
     ·作为反馈系统的振荡器第21页
     ·环型振荡器第21-22页
     ·LC振荡器第22-24页
     ·科尔皮兹(Colpitts)振荡器第24-26页
     ·NMOS交叉耦合振荡器第26-28页
     ·NMOS-PMOS交叉耦合振荡器第28-30页
     ·频率调节:压控振荡器第30-32页
   ·片上电感模型第32-33页
   ·片上电感的设计第33-37页
     ·电感量的计算第33页
     ·寄生参数值的估计第33-35页
     ·品质因子第35-37页
   ·可变电容器模型第37页
   ·可变电容器的设计第37-42页
     ·PN结变容二极管第37-39页
     ·MOS可变电容器第39-42页
   ·NMOS-PMOS LC VCO的分析第42-46页
     ·拓扑结构与小信号模型第42-44页
     ·电压幅度与工作原理第44-46页
第四章 本文5GHZ VCO的设计与仿真结果比较第46-55页
   ·采用INMOS可变电容器的NMOS-PMOS VCO第46-53页
   ·采用IPMOS可变电容器的NMOS-PMOS VCO第53-55页
结束语第55-56页
参考文献第56-58页

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