| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一部分 透明导电薄膜CdIn_2O_4的制备和光电特性的研究 | 第9-53页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·透明导电薄膜的发展现状及应用 | 第10-12页 |
| ·透明导电半导体氧化物薄膜的特性 | 第12-16页 |
| ·本部分论文的主要工作及创新点 | 第16页 |
| 参考文献 | 第16-19页 |
| 第二章 透明导电薄膜CdIn_2O_4的制备及测试 | 第19-33页 |
| ·CIO薄膜的制备 | 第19-20页 |
| ·溅射成膜机理 | 第19页 |
| ·射频溅射CIO薄膜的制备 | 第19-20页 |
| ·CIO薄膜的测试 | 第20-32页 |
| ·CIO薄膜XRD结构分析 | 第21-23页 |
| ·方块电阻测量 | 第23-25页 |
| ·霍尔效应测量 | 第25-29页 |
| ·赛贝克系数测量 | 第29-32页 |
| ·本章小结 | 第32页 |
| 参考文献 | 第32-33页 |
| 第三章 透明导电薄膜CdIn_2O_4电学和光学特性的研究 | 第33-52页 |
| ·CIO薄膜的导电机制 | 第33-34页 |
| ·CIO薄膜的电学特性 | 第34-40页 |
| ·氧浓度对CIO薄膜电学特性的影响 | 第34-37页 |
| ·衬底沉积温度对CIO薄膜电学特性的影响 | 第37-40页 |
| ·CIO薄膜的光学特性 | 第40-49页 |
| ·CIO薄膜的能带结构 | 第40-42页 |
| ·CIO薄膜的光学带隙的确定 | 第42-48页 |
| ·衬底沉积温度对CIO薄膜光学带隙的影响 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 第四章 结论和展望 | 第52-53页 |
| 第二部分 高速光电探测器超宽带频率响应的测量 | 第53-114页 |
| 第一章 绪论 | 第54-64页 |
| ·引言 | 第54-55页 |
| ·高速光电探测器的发展 | 第55-57页 |
| ·高速光电子器件测量技术的发展 | 第57-61页 |
| ·本部分论文的主要工作及创新点 | 第61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 第二章 波长可调谐DBR激光器的封装与测试 | 第64-84页 |
| ·波长可调谐激光器的发展及应用 | 第64-67页 |
| ·可调DBR激光器的工作原理 | 第67-70页 |
| ·可调DBR激光器的封装结构 | 第70-72页 |
| ·可调DBR激光器光谱特性的测量 | 第72-81页 |
| ·可调DBR激光器的光谱调谐特性 | 第72-74页 |
| ·可调DBR激光器的波长转换时间测量 | 第74-76页 |
| ·可调DBR激光器的线宽特性 | 第76-81页 |
| ·本章小结 | 第81页 |
| 参考文献 | 第81-84页 |
| 第三章 光外差技术在高速光探测器频响测量中的应用 | 第84-113页 |
| ·光外差探测的基本原理 | 第84-87页 |
| ·激光器拍频法测量高速探测器的频响 | 第87-91页 |
| ·利用可调DBR激光器测量高速探测器的频响 | 第91-103页 |
| ·利用线宽校准高速光探测器频响 | 第92-99页 |
| ·使用功率谱测量高速光探测器频响 | 第99-103页 |
| ·利用放大自发辐射测量高速光探测器频响 | 第103-110页 |
| ·自发辐射光源 | 第104-105页 |
| ·放大自发辐射强度噪音技术 | 第105-107页 |
| ·利用放大自发辐射测量高速光电探测器频响 | 第107-110页 |
| ·本章小结 | 第110-111页 |
| 参考文献 | 第111-113页 |
| 第四章 结论和展望 | 第113-114页 |
| 在学期间研究成果 | 第114-116页 |
| 致谢 | 第116页 |
