| 目录 | 第1-7页 |
| 表目录 | 第7-8页 |
| 图目录 | 第8-10页 |
| 摘要 | 第10-11页 |
| ABSTRACT | 第11-12页 |
| 第一章 前言 | 第12-21页 |
| §1.1 姿控液体火箭发动机燃烧室材料的发展与现状 | 第12-14页 |
| §1.2 C_f/SiC复合材料抗氧化涂层的研究现状 | 第14-15页 |
| ·C_f/SiC复合材料抗氧化涂层的要求 | 第14页 |
| ·近年来发展的几种涂层体系 | 第14-15页 |
| §1.3 MOCVD法制备金属铱膜的研究现状 | 第15-19页 |
| ·铱薄膜制备技术的发展 | 第15-16页 |
| ·MOCVD法制备金属铱膜的关键技术 | 第16-19页 |
| §1.4 本文研究的内容、目的及意义 | 第19-21页 |
| ·研究目的及意义 | 第19-20页 |
| ·研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 实验原理与过程 | 第21-30页 |
| §2.1 实验原理 | 第21-23页 |
| ·MOCVD工艺系统中铱的沉积机理 | 第21页 |
| ·MOCVD工艺沉积铱膜的热力学分析 | 第21-23页 |
| §2.2 实验原料与设备 | 第23-24页 |
| ·主要实验原料 | 第23页 |
| ·主要实验设备 | 第23-24页 |
| §2.3 实验过程与技术路线 | 第24-30页 |
| ·沉积源的升华过程研究方法 | 第24-26页 |
| ·MOCVD实验装置的基本组成 | 第26-28页 |
| ·铱涂层基本性能与微观形貌的测试表征方法 | 第28-30页 |
| 第三章 实验结果与分析 | 第30-69页 |
| §3.1 MOCVD法工艺中沉积源的升华速度研究 | 第31-38页 |
| ·乙酰丙酮铜连续导入升华室的升华速度研究 | 第31-32页 |
| ·升温速率对乙酰丙酮铱升华稳定性的影响 | 第32-34页 |
| ·乙酰丙酮铱的升华温度与系统压力的关系 | 第34-38页 |
| §3.2 沉积工艺条件的选择及其对C_f/SiC性能的影响 | 第38-42页 |
| ·沉积温度的选择 | 第38-40页 |
| ·氧气流量的选择 | 第40-41页 |
| ·沉积工艺条件对C_f/SiC性能的影响 | 第41-42页 |
| §3.3 MOCVD工艺中涂层薄膜均匀性研究 | 第42-46页 |
| ·陶瓷片表面沉积铜膜研究 | 第42-43页 |
| ·样品位置对铱膜均匀性的影响 | 第43-46页 |
| §3.4 涂层的微观形貌分析 | 第46-52页 |
| ·晶体生长分析 | 第46-49页 |
| ·样品位置对涂层微观形貌的影响 | 第49-51页 |
| ·基体对涂层沉积速率的影响 | 第51-52页 |
| §3.5 MOCVD工艺沉积铱的收率分析 | 第52-56页 |
| ·铱在C_f/SiC环状样品上的收率分析 | 第52-54页 |
| ·铱在C_f/SiC方形样品上的沉积收率分析 | 第54-55页 |
| ·铱在圆柱形钼基体上的沉积收率分析 | 第55-56页 |
| §3.6 涂层与基体的结合强度分析 | 第56-58页 |
| ·涂层与基体的结合分析 | 第56-57页 |
| ·界面的微观形貌观察 | 第57-58页 |
| §3.7 铱涂层薄膜纯度的研究 | 第58-63页 |
| ·铱涂层薄膜成分分析 | 第58-60页 |
| ·不同位置处涂层薄膜纯度的比较 | 第60页 |
| ·提高铱涂层薄膜纯度的工艺研究 | 第60-63页 |
| §3.8 铱涂层C_f/SiC复合材料的性能研究 | 第63-68页 |
| ·铱涂层对复合材料气密性的影响 | 第63页 |
| ·铱涂层复合材料的抗氧化烧蚀性能分析 | 第63-68页 |
| §3.9 本章小结 | 第68-69页 |
| 第四章 结论 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献: | 第71-75页 |
| 附录:不同升温速率下沉积系统的压力(Pa) | 第75-77页 |
| 硕士学位期攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第77页 |
