| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1．绪论 | 第9-22页 |
| 1．1 引言 | 第9页 |
| 1．2 磁场的分类及应用 | 第9-10页 |
| 1．2．1 直流磁场 | 第10页 |
| 1．2．2 交流磁场 | 第10页 |
| 1．2．3 特殊磁场 | 第10页 |
| 1．2．4 稳恒强磁场 | 第10页 |
| 1．3 强磁场产生设备及发生技术的研究进展 | 第10-12页 |
| 1．4 强磁场效应 | 第12-14页 |
| 1．4．1 引言 | 第12-13页 |
| 1．4．2 强磁场物理 | 第13-14页 |
| 1．4．3 强磁场生物学效应 | 第14页 |
| 1．5 强磁场在材料科学中的应用 | 第14-21页 |
| 1．5．1 引言 | 第14-16页 |
| 1．5．2 强磁场下的热处理 | 第16页 |
| 1．5．3 强磁场对晶体取向的影响 | 第16-19页 |
| 1．5．4 强磁场对流体流动的影响 | 第19-20页 |
| 1．5．5 强磁场中材料制备的其它研究 | 第20页 |
| 1．5．6 强磁场在材料科学中的发展趋势 | 第20-21页 |
| 1．6 本文研究的目的和内容 | 第21-22页 |
| 2．强磁场下Sn-3Ag-0.5Cu／Cu界面IMC生长行为研究 | 第22-41页 |
| 2．1 实验材料与实验方法 | 第22-24页 |
| 2．1．1 实验材料的制备 | 第22-23页 |
| 2．1．2 时效处理 | 第23页 |
| 2．1．3 扫描电子显微镜试样的制备 | 第23-24页 |
| 2．1．4 X射线衍射试样制备 | 第24页 |
| 2．2 实验结果 | 第24-40页 |
| 2．2．1 末时效焊接接头扫描电镜照片分析 | 第24-25页 |
| 2．2．2 正向强磁场下不同温度时效过程中焊接接头扫描电镜照片分析 | 第25-27页 |
| 2．2．3 正向强磁场与无磁场条件下界面IMC生长动力学比较 | 第27-32页 |
| 2．2．4 正向强磁场与无磁场条件下界面IMC生长激活能的比较 | 第32-33页 |
| 2．2．5 磁场强度对Sn-3Ag-0.5Cu／Cu界面IMC生长的影响 | 第33-37页 |
| 2．2．6 磁场方向对Sn-3Ag-0.5Cu／Cu界面IMC生长的影响 | 第37-40页 |
| 2．3 本章小结 | 第40-41页 |
| 3．强磁场对Sn-3.5Ag／Ni及Sn-0.7Cu／Ni界面IMC生长的影响 | 第41-55页 |
| 3．1 实验材料与实验方法 | 第41-42页 |
| 3．1．1 实验材料的制备 | 第41-42页 |
| 3．1．2 时效处理 | 第42页 |
| 3．2 实验结果 | 第42-54页 |
| 3．2．1 焊后Sn-3.5Ag／Ni界面化合物的显微结构 | 第42-43页 |
| 3．2．2 反向强磁场下Sn-3.5Ag／Ni焊点在不同温度下时效时扫描电镜照片分析 | 第43-46页 |
| 3．2．3 反向强磁场与无磁场条件下Sn-3.5Ag／Ni钎焊界面IMC生长速率比较 | 第46-48页 |
| 3．2．4 反向强磁场与无磁场条件下Sn-3.5Ag／Ni焊点界面IMC生长激活能比较 | 第48-49页 |
| 3．2．5 磁场方向对Sn-3.5Ag／Ni及Sn-0.7CufNi界面IMC生长的影响 | 第49-54页 |
| 3．3 本章小结 | 第54-55页 |
| 4．分析与讨论 | 第55-64页 |
| 4．1 强磁场对界面IMC生长激活能的影响 | 第55-56页 |
| 4．2 磁场强度影响界面IMC生长的微观分析 | 第56-57页 |
| 4．3 磁场方向影响界面IMC生长的初步分析 | 第57-61页 |
| 4．3．1 磁场方向对界面IMC的元素分布的影响 | 第57-60页 |
| 4．3．2 不同磁场方向下界面IMC的表面形貌分析 | 第60-61页 |
| 4．4 强磁场对扩散驱动力的影响 | 第61-63页 |
| 4．5 本章小结 | 第63-64页 |
| 5．全文总结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 大连理工大学学位论文版权使用授权书 | 第71页 |
