| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 第一章. 绪论 | 第13-22页 |
| ·研究背景 | 第13-17页 |
| ·GaN 材料的兴起 | 第13-16页 |
| ·AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管（HEMT） | 第16-17页 |
| ·国内外相关研究状况及存在的问题 | 第17-20页 |
| ·国内外的研究现状 | 第17-19页 |
| ·需要解决的问题 | 第19-20页 |
| ·本文主要的研究工作及意义 | 第20-22页 |
| 第二章. 氮化镓材料和 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 | 第22-43页 |
| ·氮化镓材料的性质和特点 | 第22-30页 |
| ·晶体结构 | 第22-25页 |
| ·极化效应 | 第25-30页 |
| ·GaN 晶体薄膜及AlGaN/GaN 异质结构的生长 | 第30-34页 |
| ·衬底材料 | 第30-31页 |
| ·缓冲层 | 第31页 |
| ·GaN 晶体的异质外延技术 | 第31-34页 |
| ·AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 | 第34-41页 |
| ·异质结界面势阱和二维电子气的形成 | 第34-35页 |
| ·势阱中二维电子气的量子化状态 | 第35-36页 |
| ·器件的典型结构 | 第36-37页 |
| ·极化电荷 | 第37-38页 |
| ·阈值电压 | 第38页 |
| ·电流－电压特性 | 第38-40页 |
| ·漏电导 | 第40-41页 |
| ·跨导 | 第41页 |
| ·截止频率 | 第41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第三章. AlGaN/GaN HEMT 直流特性的数值模拟 | 第43-61页 |
| ·二维电子气电子浓度分布计算模型 | 第43-49页 |
| ·泊松方程与薛定谔方程 | 第44-45页 |
| ·温度和 Al 组份含量的影响 | 第45-46页 |
| ·模拟结果讨论 | 第46-49页 |
| ·自热效应 | 第49-56页 |
| ·自热效应概述 | 第49-52页 |
| ·电流模型 | 第52-54页 |
| ·模拟结果分析 | 第54-56页 |
| ·结论 | 第56页 |
| ·跨导 | 第56-59页 |
| ·模拟器件 | 第56-57页 |
| ·结果与讨论 | 第57-59页 |
| ·结论 | 第59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第四章. AlGaN/GaN HEMT 射频小信号模型分析 | 第61-80页 |
| ·小信号模型 | 第62-63页 |
| ·小信号等效电路分析 | 第63-72页 |
| ·非本征电阻值的确定 | 第63-67页 |
| ·寄生电感和寄生电容值的确定 | 第67-69页 |
| ·本征元件的确定 | 第69-72页 |
| ·一种简单精确的参数提取模型 | 第72-79页 |
| ·寄生电容的提取 | 第72-73页 |
| ·寄生电阻和电感的提取 | 第73-75页 |
| ·本征参数的提取 | 第75-76页 |
| ·模型验证 | 第76-78页 |
| ·结论 | 第78-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 第五章. AlGaN/GaN HEMT 大信号模型分析 | 第80-94页 |
| ·大信号模型 | 第80-84页 |
| ·大信号 I-V 特性模型 | 第84-90页 |
| ·几种常见的大信号直流I-V 特性模型 | 第84-86页 |
| ·一种改进的大信号I-V 特性模型 | 第86-90页 |
| ·电容特性模型 | 第90-92页 |
| ·本章小结 | 第92-94页 |
| 第六章. 总结 | 第94-97页 |
| 致谢 | 第97-99页 |
| 参考资料 | 第99-111页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第111-112页 |
| 攻读博士学位期间参加的科研项目、合作研究及获奖 | 第112-113页 |
| 附录 | 第113-115页 |
