铌酸锂相位调制器关键技术的研究
| 第一章 绪论 | 第1-13页 |
| ·课题背景 | 第8-10页 |
| ·铌酸锂电光调制器研究进展 | 第10-12页 |
| ·本论文的任务 | 第12-13页 |
| 第二章 电光相位调制器的基础理论 | 第13-27页 |
| ·铌酸锂晶体特性 | 第13-15页 |
| ·铌酸锂的晶体结构 | 第13-14页 |
| ·铌酸锂晶体的基本热学性质 | 第14-15页 |
| ·电光相位调制的基本原理 | 第15-18页 |
| ·单模光纤和光波导的耦合 | 第18-23页 |
| ·单模光纤的模场分布 | 第18-20页 |
| ·单模条形波导的传播模式 | 第20-23页 |
| ·光纤和波导的耦合 | 第23页 |
| ·器件可靠性理论 | 第23-27页 |
| ·芯片剪切强度的可靠性 | 第24页 |
| ·气密性的可靠性 | 第24-25页 |
| ·内部水汽含量可靠性 | 第25页 |
| ·ESD(静电放电)的可靠性 | 第25-27页 |
| 第三章 铌酸锂相位调制器的设计与制作 | 第27-60页 |
| ·质子交换法 | 第27-37页 |
| ·质子交换法概述 | 第27-28页 |
| ·质子交换基本理论 | 第28-31页 |
| ·质子交换LiNbO_3晶体波导的结构 | 第31-33页 |
| ·退火工艺对铌酸锂波导性能的影响 | 第33-37页 |
| ·铌酸锂条形波导的制作 | 第37-44页 |
| ·单模铌酸锂条形波导的设计 | 第37-39页 |
| ·质子交换铌酸锂条形波导的制作 | 第39-44页 |
| ·铌酸锂V 型槽的制作工艺 | 第44-54页 |
| ·铌酸锂晶体畴反转的实现方法 | 第44-45页 |
| ·用质子交换法实现铌酸锂晶体的畴反转 | 第45-50页 |
| ·铌酸锂V 型槽的制作 | 第50-54页 |
| ·光纤和波导的耦合封装 | 第54-60页 |
| ·光纤和波导耦合 | 第54-56页 |
| ·铌酸锂相位调制器的封装 | 第56-60页 |
| 第四章 器件性能测试 | 第60-65页 |
| ·光波导损耗的测量 | 第60-62页 |
| ·光波导的损耗 | 第60-61页 |
| ·光波导损耗的测量 | 第61-62页 |
| ·器件部分性能测试 | 第62-64页 |
| ·室温下器件的插入损耗 | 第62-63页 |
| ·高、低温下器件的稳定性 | 第63-64页 |
| ·小结 | 第64-65页 |
| 第五章 器件可靠性分析 | 第65-67页 |
| ·器件失效机理分析 | 第65页 |
| ·提高器件可靠性的措施 | 第65-67页 |
| 第六章 结论 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 作者简历及硕士在读期间发表的论文 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 附录 | 第74页 |