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铌酸锂相位调制器关键技术的研究

第一章 绪论第1-13页
   ·课题背景第8-10页
   ·铌酸锂电光调制器研究进展第10-12页
   ·本论文的任务第12-13页
第二章 电光相位调制器的基础理论第13-27页
   ·铌酸锂晶体特性第13-15页
     ·铌酸锂的晶体结构第13-14页
     ·铌酸锂晶体的基本热学性质第14-15页
   ·电光相位调制的基本原理第15-18页
   ·单模光纤和光波导的耦合第18-23页
     ·单模光纤的模场分布第18-20页
     ·单模条形波导的传播模式第20-23页
     ·光纤和波导的耦合第23页
   ·器件可靠性理论第23-27页
     ·芯片剪切强度的可靠性第24页
     ·气密性的可靠性第24-25页
     ·内部水汽含量可靠性第25页
     ·ESD(静电放电)的可靠性第25-27页
第三章 铌酸锂相位调制器的设计与制作第27-60页
   ·质子交换法第27-37页
     ·质子交换法概述第27-28页
     ·质子交换基本理论第28-31页
     ·质子交换LiNbO_3晶体波导的结构第31-33页
     ·退火工艺对铌酸锂波导性能的影响第33-37页
   ·铌酸锂条形波导的制作第37-44页
     ·单模铌酸锂条形波导的设计第37-39页
     ·质子交换铌酸锂条形波导的制作第39-44页
   ·铌酸锂V 型槽的制作工艺第44-54页
     ·铌酸锂晶体畴反转的实现方法第44-45页
     ·用质子交换法实现铌酸锂晶体的畴反转第45-50页
     ·铌酸锂V 型槽的制作第50-54页
   ·光纤和波导的耦合封装第54-60页
     ·光纤和波导耦合第54-56页
     ·铌酸锂相位调制器的封装第56-60页
第四章 器件性能测试第60-65页
   ·光波导损耗的测量第60-62页
     ·光波导的损耗第60-61页
     ·光波导损耗的测量第61-62页
   ·器件部分性能测试第62-64页
     ·室温下器件的插入损耗第62-63页
     ·高、低温下器件的稳定性第63-64页
   ·小结第64-65页
第五章 器件可靠性分析第65-67页
   ·器件失效机理分析第65页
   ·提高器件可靠性的措施第65-67页
第六章 结论第67-68页
参考文献第68-72页
作者简历及硕士在读期间发表的论文第72-73页
致谢第73-74页
附录第74页

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