| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| ·硅及多孔硅材料的研究背景 | 第10-11页 |
| ·前人的工作及本论文将进行的工作 | 第11-14页 |
| 第二章 研究方法和CASTEP简介 | 第14-24页 |
| ·密度泛函理论 | 第14-17页 |
| ·交换关联能近似计算 | 第17-19页 |
| ·局域密度近似(LDA) | 第17-18页 |
| ·广义梯度近似(GGA) | 第18-19页 |
| ·基函和赝势 | 第19-22页 |
| ·CASTEP软件包功能特点 | 第22-24页 |
| 第三章 LDA与GGA近似方法对Si表面Si-OH、SiO_2结构的对比计算 | 第24-31页 |
| ·概述 | 第24页 |
| ·模型与计算方法 | 第24-26页 |
| ·物理模型 | 第24-25页 |
| ·计算方法与基本参数 | 第25-26页 |
| ·结果与分析 | 第26-30页 |
| ·表面结构优化及能量变化 | 第26-27页 |
| ·优化后的表面结构 | 第27-30页 |
| ·结论 | 第30-31页 |
| 第四章 多孔硅表面Si-OH结构的理论研究 | 第31-41页 |
| ·概述 | 第31页 |
| ·模型和计算方法 | 第31-34页 |
| ·物理模型 | 第31-33页 |
| ·计算方法与基本参数 | 第33-34页 |
| ·结果与讨论 | 第34-40页 |
| ·能量变化 | 第34-37页 |
| ·优化后的Si-OH结构 | 第37-39页 |
| ·表面电子密度 | 第39-40页 |
| ·结论 | 第40-41页 |
| 第五章 Si(001)-SiO_2界面结构的理论研究 | 第41-50页 |
| ·概述 | 第41页 |
| ·模型和计算方法 | 第41-44页 |
| ·物理模型 | 第41-42页 |
| ·计算方法与基本参数 | 第42-44页 |
| ·结果和讨论 | 第44-49页 |
| ·表面结构优化 | 第44-45页 |
| ·表面几何结构 | 第45-48页 |
| ·表面结构中的电子密度 | 第48-49页 |
| ·结论 | 第49-50页 |
| 第六章 结论与展望 | 第50-52页 |
| ·主要结论 | 第50-51页 |
| ·展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-58页 |
| 附录 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |