| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-41页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·研究背景 | 第9-25页 |
| ·电子的自旋极化隧穿 | 第9-14页 |
| ·磁电阻（MR）效应 | 第14-25页 |
| ·各向异性磁电阻（AMR）效应 | 第14-16页 |
| ·巨磁电阻（GMR）效应 | 第16-19页 |
| ·庞磁电阻（CMR）效应 | 第19-20页 |
| ·低场磁电阻（LFMR）效应 | 第20-21页 |
| ·隧穿磁电阻（TMR）效应 | 第21-25页 |
| ·隧道结中隧穿磁电阻（TMR）的研究 | 第25-41页 |
| ·理论模型和计算方法 | 第25-37页 |
| ·Julliere 模型 | 第26-27页 |
| ·Slonczewski 近自由电子模型 | 第27-31页 |
| ·转移哈密顿方法 | 第31-33页 |
| ·针对任意形状势垒的计算方法 | 第33-37页 |
| ·传统 FM/I/FM 型隧道结的 TMR 与绝缘层厚度、温度和偏压关系的研究 | 第37-41页 |
| 第二章 NM/FI/NI/FI/NM 新型双自旋过滤隧道结在有限偏压下的隧穿电导和隧穿磁电阻 | 第41-57页 |
| ·引言 | 第42-48页 |
| ·自旋过滤效应 | 第42-45页 |
| ·双自旋过滤磁性隧道结 | 第45-48页 |
| ·理论模型 | 第48-52页 |
| ·计算结果及讨论 | 第52-56页 |
| ·不同偏压下，双自旋过滤隧道结中 TMR 及电导 G_P和G_(AP)的比值与钉扎层厚度b 及非磁绝缘层厚度c 的关系 | 第52-55页 |
| ·不同铁磁绝缘层总厚度下，双自旋过滤隧道结中TMR 及电导G_P和G_(AP)的比值与偏压V 的关系 | 第55-56页 |
| ·结论 | 第56-57页 |
| 总结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 研究生在校期间的科研成果 | 第69页 |
