| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-34页 |
| ·铁电材料结构及其特性 | 第11-16页 |
| ·铁电材料的结构 | 第11-13页 |
| ·铁电体的功能特性 | 第13-14页 |
| ·电畴和极化反转 | 第14页 |
| ·钙钛矿结构和锆钛酸铅 | 第14-16页 |
| ·铁电薄膜材料及其特性 | 第16-18页 |
| ·铁电薄膜材料 | 第16-17页 |
| ·铁电薄膜特性 | 第17-18页 |
| ·铁电材料的发展 | 第18-20页 |
| ·铁电薄膜存储器研究进展 | 第20-23页 |
| ·FRAM | 第21-22页 |
| ·FFET 和FMD | 第22页 |
| ·FDRAM | 第22-23页 |
| ·影响PZT 铁电薄膜性能的几个方面 | 第23-26页 |
| ·溅射气氛对PZT 薄膜结构的影响 | 第23-24页 |
| ·衬底温度对PZT 薄膜结构的影响 | 第24页 |
| ·衬底对PZT 薄膜结构的影响 | 第24-25页 |
| ·电极对PZT 薄膜结构的影响 | 第25页 |
| ·退火工艺对PZT 薄膜结构的影响 | 第25-26页 |
| ·PZT 薄膜的应用 | 第26-30页 |
| ·PZT 薄膜在MEMS 中的应用 | 第26-27页 |
| ·用作开关 | 第27页 |
| ·PZT 在机械损伤检测中的应用 | 第27页 |
| ·PZT 压电薄膜在微传感器中的应用 | 第27-30页 |
| ·钛酸锶钡薄膜的应用 | 第30-32页 |
| ·钛酸锶钡应用于动态随机存储器(DRAM) | 第30-31页 |
| ·钛酸锶钡应用于介质移相器 | 第31页 |
| ·钛酸锶钡应用于热释电红外探测器 | 第31-32页 |
| ·钛酸锶钡应用于H2 探测器 | 第32页 |
| ·本论文的研究工作 | 第32-34页 |
| 第二章 薄膜的制备方法与均匀实验设计理论 | 第34-50页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第34-38页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第34-36页 |
| ·电化学还原法 | 第36-37页 |
| ·脉冲激光溅射沉积法（PLD） | 第37-38页 |
| ·溅射法 | 第38-41页 |
| ·双靶磁控溅射 | 第38-40页 |
| ·反应溅射镀膜 | 第40页 |
| ·RF 溅射镀膜 | 第40-41页 |
| ·液态源雾化化学沉积(LSMCD)技术 | 第41-45页 |
| ·LSMCD 的工艺原理及工艺流程 | 第41-42页 |
| ·LSMCD 的设备装置 | 第42-45页 |
| ·LSMCD 技术的优越性 | 第45页 |
| ·均匀实验设计理论 | 第45-50页 |
| ·均匀实验设计 | 第45-47页 |
| ·逐步回归分析 | 第47页 |
| ·数学模型 | 第47页 |
| ·回归方程的确定 | 第47-48页 |
| ·综合评分方法 | 第48页 |
| ·函数数值最优化求解方法 | 第48页 |
| ·单目标函数最优化理论 | 第48-49页 |
| ·多目标函数最优化理论 | 第49-50页 |
| 第三章 RF 磁控溅射法制备PZT 和BST 铁电薄膜的分析与比较 | 第50-61页 |
| ·PZT 和BST 靶材的制备 | 第50页 |
| ·直流对靶磁控溅射制备Pt/Ti 底电极 | 第50-52页 |
| ·Si02/Si 衬底的制备 | 第50-51页 |
| ·直流对靶溅射制备Pt/Ti 底电极的工艺参数 | 第51页 |
| ·Pt/Ti 底电极的厚度 | 第51-52页 |
| ·射频磁控溅射制备PZT 和BST 铁电薄膜 | 第52-53页 |
| ·射频磁控溅射制备PZT 和BST 铁电薄膜的工艺参数 | 第52页 |
| ·PZT 和BST 铁电薄膜的退火 | 第52页 |
| ·直流对靶溅射制备Pt 上电极 | 第52-53页 |
| ·PZT 和BST 铁电薄膜的表征 | 第53页 |
| ·PZT 和BST 铁电薄膜的厚度分析 | 第53页 |
| ·PZT 和BST 薄膜的XRD 分析 | 第53-55页 |
| ·PZT 薄膜的XRD 分析 | 第53-54页 |
| ·BST 薄膜的XRD 分析 | 第54-55页 |
| ·PZT 和BST 薄膜表面形貌分析 | 第55-57页 |
| ·PZT 薄膜的SEM 分析 | 第55-56页 |
| ·BST 薄膜的SEM 分析 | 第56-57页 |
| ·PZT 和BST 薄膜的电滞回线 | 第57-59页 |
| ·PZT 和BST 薄膜介电常数及介电损耗的测定 | 第59页 |
| ·PZT 和BST 薄膜的介电常数测定 | 第59页 |
| ·溅射磁控溅射法制备PZT 和BST 薄膜的比较 | 第59页 |
| ·小结 | 第59-61页 |
| 第四章 均匀设计分析射频磁控溅射制备PZT 薄膜的工艺优化 | 第61-88页 |
| ·均匀实验设计 | 第61-63页 |
| ·实验步骤及过程 | 第63-65页 |
| ·PZT 靶材的制备 | 第63-64页 |
| ·基片及掩模的清洗 | 第64页 |
| ·Pt/Ti 底电极的制备 | 第64页 |
| ·PZT 薄膜制备 | 第64-65页 |
| ·PZT 薄膜的退火 | 第65页 |
| ·薄膜性能的表征 | 第65-69页 |
| ·电极化特性分析 | 第65-67页 |
| ·电滞回线的测量 | 第67页 |
| ·薄膜厚度的测量 | 第67页 |
| ·薄膜电容和介电损耗的测量 | 第67-68页 |
| ·薄膜表面形貌的观察测量 | 第68-69页 |
| ·实验数据结果 | 第69-75页 |
| ·薄膜厚度结果 | 第69-70页 |
| ·电滞回线结果 | 第70-73页 |
| ·薄膜的SEM 结果分析 | 第73-75页 |
| ·数据处理 | 第75-79页 |
| ·数据回归 | 第75-79页 |
| ·回归方程讨论 | 第79-85页 |
| ·薄膜厚度的变量分析 | 第79-80页 |
| ·电容的变量分析 | 第80-82页 |
| ·介电损耗的变量分析 | 第82-83页 |
| ·矫顽场强的变量分析 | 第83页 |
| ·饱和极化强度的变量分析 | 第83-85页 |
| ·剩余极化强度的变量分析 | 第85页 |
| ·最优工艺的选择 | 第85-86页 |
| ·小结 | 第86-88页 |
| 第五章 AFM 分析制备工艺参数对PZT 铁电薄膜形貌的影响 | 第88-107页 |
| ·实验部分 | 第88-90页 |
| ·均匀试验设计 | 第88页 |
| ·实验过程 | 第88-89页 |
| ·AFM 测定薄膜的表面形貌 | 第89-90页 |
| ·实验结果 | 第90-98页 |
| ·PZT 薄膜的平面图 | 第90-92页 |
| ·PZT 薄膜的截面分析图 | 第92-95页 |
| ·PZT 薄膜的粗糙度分析 | 第95-98页 |
| ·回归分析与结果讨论 | 第98-106页 |
| ·PZT 薄膜晶粒大小的回归分析 | 第98-101页 |
| ·PZT 薄膜均方根粗糙度和算术平均面粗糙度的回归分析 | 第101-106页 |
| ·小结 | 第106-107页 |
| 第六章 LSMCD 法制备梯度BST 铁电薄膜的研究 | 第107-119页 |
| ·实验过程 | 第107-113页 |
| ·衬底和底电极的制备 | 第107-108页 |
| ·先体溶液的制备 | 第108-110页 |
| ·液态源雾化化学沉积系统装置 | 第110-112页 |
| ·钛酸锶钡薄膜的沉积 | 第112页 |
| ·钛酸锶钡薄膜的退火 | 第112-113页 |
| ·性能测试 | 第113页 |
| ·实验结果与讨论 | 第113-117页 |
| ·薄膜厚度测试结果 | 第113-114页 |
| ·X 射线衍射(XRD)测试结果 | 第114页 |
| ·电滞回线测试结果 | 第114-115页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第115-117页 |
| ·介电常数与介电损耗的测定 | 第117页 |
| ·小结 | 第117-119页 |
| 第七章 结论 | 第119-121页 |
| ·论文主要结论 | 第119-120页 |
| ·论文主要创新点 | 第120-121页 |
| 参考文献 | 第121-127页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第127-128页 |
| 致谢 | 第128页 |
