| 目 录 | 第1-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-27页 |
| ·半导体的光催化反应 | 第8-13页 |
| ·半导体的光催化反应机理 | 第8-10页 |
| ·半导体的光催化活性影响因素 | 第10-13页 |
| ·晶体结构的影响 | 第10-11页 |
| ·表面积的影响 | 第11页 |
| ·粒径的影响 | 第11-12页 |
| ·载流子俘获剂的影响 | 第12-13页 |
| ·PH值的影响 | 第13页 |
| ·提高半导体光催化反应活性的途径 | 第13-18页 |
| ·延伸催化剂响应波长范围 | 第13-15页 |
| ·半导体的光敏化 | 第14页 |
| ·过渡金属掺杂 | 第14-15页 |
| ·减少电子空穴对的复合几率 | 第15-18页 |
| ·表面贵金属沉积 | 第15页 |
| ·金属掺杂 | 第15-16页 |
| ·稀土元素掺杂 | 第16-17页 |
| ·复合半导体 | 第17-18页 |
| ·其他提高光催化活性的研究 | 第18页 |
| ·TiO2-SnO2复合半导体的研究简况 | 第18-22页 |
| ·大气中的复相光催化反应 | 第22-25页 |
| ·大气中的污染物质 | 第22页 |
| ·大气中的过渡金属 | 第22-24页 |
| ·大气中的光催化反应 | 第24-25页 |
| ·本论文的研究内容及意义 | 第25-27页 |
| 第二章 TiO2-SnO2复合半导体粒子制备条件的优化 | 第27-47页 |
| ·TiO2-SnO2复合半导体粒子制备 | 第27-28页 |
| ·主要试剂和仪器 | 第27页 |
| ·制备过程 | 第27-28页 |
| ·均匀共沉淀法 | 第27-28页 |
| ·Sol-Gel法 | 第28页 |
| ·光催化反应系统 | 第28-31页 |
| ·配气及光照系统 | 第28-30页 |
| ·检测系统 | 第30-31页 |
| ·制备条件对TiO2-SnO2复合半导体的光催化活性影响 | 第31-46页 |
| ·均匀共沉淀法 | 第31-34页 |
| ·水解温度和水解时间对制备的影响 | 第32页 |
| ·焙烧温度对制备的影响 | 第32-33页 |
| ·不同锡盐对光催化活性的影响 | 第33页 |
| ·不同Sn、Ti比例的复合半导体对庚烷的光降解情况 | 第33-34页 |
| ·Sol-Gel法 | 第34-46页 |
| ·水解抑制剂用量对复合半导体活性的影响 | 第35-36页 |
| ·溶胶陈化时间的影响 | 第36-37页 |
| ·不同锡盐对光催化活性的影响 | 第37-39页 |
| ·干凝胶焙烧方式对活性的影响 | 第39-41页 |
| ·焙烧温度的影响 | 第41-43页 |
| ·最佳SnO2复合量的确定 | 第43-46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| 第三章 TiO2-SnO2复合半导体的表征及其对气相污染物的光催化反应研究 | 第47-69页 |
| ·复合半导体表征 | 第47-56页 |
| ·TG－DTA表征 | 第47-48页 |
| ·XRD表征 | 第48-50页 |
| ·IR表征 | 第50-51页 |
| ·UV-vis表征 | 第51-52页 |
| ·XPS表征 | 第52-56页 |
| ·复合半导体光催化反应研究 | 第56-66页 |
| ·光催化反应和检测系统 | 第56-57页 |
| ·高掺Sn量复合半导体的最佳焙烧温度 | 第57-58页 |
| ·复合半导体对庚烷光催化反应研究 | 第58-62页 |
| ·复合半导体对甲苯光催化反应研究 | 第62-63页 |
| ·复合半导体对SO2光催化反应研究 | 第63-66页 |
| ·复合半导体的使用次数对活性影响 | 第66-68页 |
| ·小结 | 第68-69页 |
| 第四章 结论 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-82页 |
| 中文摘要 | 第82-84页 |
| 英文摘要 | 第84-86页 |
| 致谢 | 第86页 |
