| 第一章：红外探测器的发展 | 第1-20页 |
| 1 红外探测器技术的发展 | 第8-10页 |
| 2 红外探测器分类与比较 | 第10-14页 |
| 3 红外探测器性能的参数及提高其性能的方法 | 第14-15页 |
| 4 RCE红外探测器 | 第15-16页 |
| 5 本文的工作 | 第16-18页 |
| 参考文献 | 第18-20页 |
| 第二章：共振腔增强型探测器基本特性研究 | 第20-36页 |
| 1 引言 | 第20-21页 |
| 2 半导体PIN光电探测器的工作特性 | 第21-24页 |
| 3 共振腔增强型(RCE)红外探测器结构 | 第24页 |
| 4 RCE探测器量子效率 | 第24-32页 |
| ·RCE探测器量子效率公式 | 第25-27页 |
| ·量子效率特性分析 | 第27-28页 |
| ·共振腔增强效应 | 第28-31页 |
| ·驻波效应 | 第31-32页 |
| 5 RCE探测器频率响应 | 第32-34页 |
| ·传统PIN探测器频率响应 | 第32-33页 |
| ·RCE探测器的频率响应 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-36页 |
| 第三章：GaInAsSb共振腔增强红外光电探测器设计及性能模拟 | 第36-54页 |
| 1 引言 | 第36页 |
| 2 探测器材料优化 | 第36-41页 |
| ·DBR材料 | 第36-38页 |
| ·GaInAsSb材料组分 | 第38-41页 |
| 3 InAs／GaSb DBR的反射率和相移 | 第41-46页 |
| ·传递矩阵法(TMM)计算DBR反射率和和相移 | 第41-45页 |
| ·InAs／GaSb DBR的反射率 | 第45-46页 |
| 4 器件结构设计 | 第46-49页 |
| 5 探测器量子效率数值模拟 | 第49-52页 |
| ·GaInAsSb的吸收系数 | 第49-50页 |
| ·器件性能模拟 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 第四章：MOCVD技术及GaInAsSb PIN光伏型红外探测器 | 第54-66页 |
| 1 引言 | 第54页 |
| 2 MOCVD外延生长技术及设备 | 第54-59页 |
| ·MOCVD外延生长技术 | 第54-56页 |
| ·LPMOCVD设备 | 第56-59页 |
| 3 GaInAsSb／GaSb PIN结构光伏型红外探测器及性能模拟 | 第59-65页 |
| ·GaInAsSb材料特性 | 第59-61页 |
| ·GaInAsSb／GaSb PIN探测器材料结构 | 第61页 |
| ·量子效率及光谱响应 | 第61-63页 |
| ·实验 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-66页 |
| 第五章：总结 | 第66-67页 |
| 发表文章目录 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 作者简介 | 第69-70页 |
| 长春光学精密机械与物理研究所硕士学位论文原创性声明 | 第70页 |
