光电导开关非线性模式的机理分析及应用研究
| 1 绪论 | 第1-24页 |
| ·光电导开关的发展现状 | 第10-11页 |
| ·光电导开关的应用前景 | 第11-15页 |
| ·大电流点火装置 | 第12-13页 |
| ·超宽带(UWB)脉冲源 | 第13页 |
| ·THz电磁波发射源 | 第13-14页 |
| ·其他方面的应用 | 第14-15页 |
| ·光电导开关的材料特性 | 第15-18页 |
| ·光电导开关的基本结构及工作模式 | 第18-20页 |
| ·光电导开关的基本结构 | 第18-19页 |
| ·光电导开关的工作模式 | 第19-20页 |
| ·光电导开关理论研究及应用研究存在问题 | 第20-22页 |
| ·论文的主要研究内容 | 第22-24页 |
| 2 光电导开关非线性模式的理论模型 | 第24-58页 |
| ·非线性效应的实验规律 | 第24-27页 |
| ·非线性效应的理论模型 | 第27页 |
| ·光激发电荷畴模型 | 第27-31页 |
| ·丝状电流 | 第31-33页 |
| ·非线性波形的稳定性实验 | 第33-39页 |
| ·实验过程 | 第34-35页 |
| ·实验结果及其分析 | 第35-39页 |
| ·非线性波形的稳定性分析 | 第39-57页 |
| ·三角形畴的动力学特征 | 第39-47页 |
| ·光电导开关的等效电路 | 第47-48页 |
| ·畴器件在谐振电路中的工作模式 | 第48-49页 |
| ·光电导开关的延迟偶极畴模式 | 第49-52页 |
| ·光电导开关的猝灭偶极畴模式 | 第52-54页 |
| ·Lock-on电场的延迟效应 | 第54-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 3 光电导开关退化的物理机制 | 第58-76页 |
| ·半绝缘GAAS光电导开关的击穿类型 | 第58-60页 |
| ·介质的击穿类型 | 第58-59页 |
| ·半绝缘GaAs PCSS'S的击穿类型 | 第59页 |
| ·半导体沿面闪络 | 第59-60页 |
| ·半绝缘GAAS光电导开关击穿实验的原理及结果 | 第60-63页 |
| ·半绝缘GAAS PCSS'S热击穿机理 | 第63-64页 |
| ·光电导开关击穿的物理解释 | 第64-67页 |
| ·光电导开关的寿命分析 | 第67-73页 |
| ·器件寿命评估方法 | 第68-69页 |
| ·光电导开关的寿命实验 | 第69-70页 |
| ·开关损伤的寿命分析 | 第70-73页 |
| ·长寿命大功率半绝缘GAAS光电导开关的研制 | 第73-75页 |
| ·设计考虑 | 第73-74页 |
| ·开关的制作 | 第74-75页 |
| ·本章小结 | 第75-76页 |
| 4 总结 | 第76-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-88页 |
| 作者在硕士期间的研究成果 | 第88页 |
