| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·巨磁阻抗效应 | 第9-15页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·GMI理论概述 | 第10-15页 |
| ·薄膜样品中的磁各向异性 | 第15-18页 |
| ·FINEMET合金 | 第18-20页 |
| ·本论文的研究目的和内容 | 第20-21页 |
| 第二章 薄膜样品的制备、性能测量设备及方法 | 第21-26页 |
| ·薄膜样品的制备 | 第21-23页 |
| ·磁控溅射设备 | 第21页 |
| ·基片的清洗 | 第21-22页 |
| ·溅射条件 | 第22-23页 |
| ·薄膜样品的测量及退火设备 | 第23-24页 |
| ·薄膜样品的图形化 | 第24-25页 |
| ·巨磁阻抗的测量系统 | 第25-26页 |
| 第三章 FeCuNbSiB薄膜纳米晶化及磁矩的空间重取向 | 第26-36页 |
| ·不同退火温度薄膜的X射线衍射分析 | 第26-28页 |
| ·薄膜样品的M(?)ssbauer谱及其磁矩空间重取向 | 第28-33页 |
| ·薄膜样品的软磁性能 | 第33-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 FeCuNbSiB多层膜样品的巨磁阻抗效应 | 第36-60页 |
| ·F/SiO_2/Cu/SiO_2/F样品巨磁阻抗效应 | 第37-51页 |
| ·F/SiO_2/Cu/SiO_2/F纵向巨磁阻抗效应与退火温度的关系 | 第37-39页 |
| ·驱动电流频率对F/SiO_2/Cu/SiO_2/F巨磁阻抗效应的影响 | 第39-51页 |
| ·F/SiO_2/Cu/SiO_2/F/SiO_2样品巨磁阻抗效应 | 第51-58页 |
| ·F/SiO_2/Cu/SiO_2/F/SiO_2纵向巨磁阻抗效应与退火温度的关系 | 第51-53页 |
| ·F/SiO_2/Cu/SiO_2/F/SiO_2多层膜的巨磁阻抗效应 | 第53-58页 |
| ·多层膜的磁阻抗效应与保存时间的关系 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 结语 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第65页 |
