| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-36页 |
| ·引言 | 第6页 |
| ·半导体超晶格量子阱基本特性以及能级的计算 | 第6-10页 |
| ·共振隧穿 | 第10-12页 |
| ·量子阱的光学性质 | 第12-31页 |
| ·磁场对量子阱及其子带间跃迁辐射的影响 | 第31-35页 |
| ·小结 | 第35-36页 |
| 第二章 样品的设计、制备与实验测量 | 第36-44页 |
| ·样品的结构 | 第36-37页 |
| ·实验样品的制备和测量系统 | 第37-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 第三章 能级填充对量子阱光学性质的影响 | 第44-57页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·实验结果与讨论 | 第44-56页 |
| ·小结 | 第56-57页 |
| 第四章 样品磁场下的电学及光学性质与讨论 | 第57-70页 |
| ·引言 | 第57页 |
| ·垂直磁场下样品的性质 | 第57-67页 |
| ·与老样品的对比 | 第67-69页 |
| ·小结 | 第69-70页 |
| 第五章 结论 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 附录 | 第81-82页 |