| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| ·分子印迹技术概况 | 第10页 |
| ·分子印迹技术基本原理 | 第10-11页 |
| ·分子印迹法的分类 | 第11-13页 |
| ·分子印迹聚合物的制备 | 第13-17页 |
| ·分子印迹聚合物的制备方法 | 第17-19页 |
| ·分子印迹技术的应用 | 第19-24页 |
| ·分子印迹技术现状及展望 | 第24-25页 |
| ·那格列奈研究现状 | 第25页 |
| ·本文研究内容及意义 | 第25-26页 |
| 第二章 沉淀聚合法合成那格列奈分子印迹聚合物及其性能研究 | 第26-39页 |
| ·引言 | 第26-27页 |
| ·实验部分 | 第27-29页 |
| ·结果与讨论 | 第29-37页 |
| ·本章小结 | 第37-39页 |
| 第三章 那格列奈分子印迹聚合物在固相萃取中的应用 | 第39-46页 |
| ·引言 | 第39-40页 |
| ·实验部分 | 第40-41页 |
| ·结果与讨论 | 第41-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 碳纳米管修饰分子印迹电极的制备及性能研究.. | 第46-57页 |
| ·引言 | 第46-47页 |
| ·实验部分 | 第47-49页 |
| ·结果与讨论 | 第49-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 结论 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 个人简历 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |