| 提要 | 第1-9页 |
| 第一章 综述 | 第9-38页 |
| ·有机半导体材料 | 第10-17页 |
| ·有机半导体材料的优点 | 第10-11页 |
| ·有机半导体材料的价键和分子轨道理论 | 第11-13页 |
| ·有机半导体材料的发光机理 | 第13-16页 |
| ·有机半导体材料的载流子传输机理 | 第16-17页 |
| ·酞菁的研究历史与现状 | 第17-22页 |
| ·酞菁的发展历史 | 第17-18页 |
| ·酞菁的性质 | 第18-20页 |
| ·酞菁的合成方法 | 第20-21页 |
| ·酞菁在有机半导体器件中的应用 | 第21-22页 |
| ·有机电致发光器件的发展历程和结构原理 | 第22-30页 |
| ·有机近红外电致发光器件的发展历程 | 第22-25页 |
| ·有机电致发光器件的器件结构 | 第25-26页 |
| ·有机电致发光器件的发光过程 | 第26-29页 |
| ·评价有机电致发光器件性能的主要参数 | 第29-30页 |
| ·有机薄膜场效应晶体管的发展历程和结构原理 | 第30-36页 |
| ·有机薄膜场效应晶体管的发展历程 | 第30-31页 |
| ·有机薄膜场效应晶体管的器件结构 | 第31-33页 |
| ·有机薄膜场效应晶体管的工作原理 | 第33-35页 |
| ·有机薄膜场效应晶体管工作的物理过程 | 第35-36页 |
| ·有机薄膜场效应晶体管的应用 | 第36页 |
| ·本论文的主要工作 | 第36-38页 |
| 第二章 基于酞菁的有机近红外电致发光器件 | 第38-59页 |
| ·引言 | 第38-39页 |
| ·实验材料和仪器 | 第39-44页 |
| ·实验中制作器件常用材料介绍 | 第39-41页 |
| ·器件制备仪器介绍 | 第41-42页 |
| ·器件测试系统介绍 | 第42-44页 |
| ·基于InClPc的有机近红外电致发光器件 | 第44-51页 |
| ·器件的结构和制备工艺 | 第44-45页 |
| ·单层器件A | 第45-47页 |
| ·多层器件B (ITO/NPB/InClPc/Alq3/Al)和C (ITO/NPB/InClPc/BCP /Alq3/ Al) | 第47-51页 |
| ·基于ZnPc的有机近红外电致发光器件 | 第51-57页 |
| ·器件的结构和制备工艺 | 第51页 |
| ·单层器件 D (ITO/ZnPc/Al) | 第51-53页 |
| ·多层器件E (ITO/NPB/ ZnPc/Alq3/Al)和F(ITO/NPB/ZnPc/BCP/Alq3/Al) | 第53-57页 |
| ·小结 | 第57-59页 |
| 第三章 基于可溶性酞菁的有机近红外电致发光器件 | 第59-83页 |
| ·引言 | 第59-60页 |
| ·可溶性酞菁的合成 | 第60-64页 |
| ·材料和仪器 | 第60页 |
| ·1(4)-四-（对叔丁基苯氧基）铟氯酞菁的合成 | 第60-62页 |
| ·2(3)-四-（对叔丁基苯氧基）锌酞菁的合成 | 第62-63页 |
| ·合成结果和讨论 | 第63-64页 |
| ·基于可溶性铟氯酞菁的近红外电致发光器件 | 第64-74页 |
| ·器件的制备工艺和器件结构 | 第64-65页 |
| ·材料的吸收谱和光致发光谱 | 第65-67页 |
| ·单层器件 A (ITO/(3-tert)ClInPc/Al) | 第67页 |
| ·基于旋涂发光层的多层掺杂器件 B (ITO/PVK:(3-tert)ClInPc/BCP/Alq3/Al) | 第67-71页 |
| ·基于蒸镀发光层的多层掺杂器件C (ITO/NPB/Alq3:(3-tert)ClInPc/Alq3/Al) | 第71-74页 |
| ·基于可溶性锌酞菁的近红外电致发光器件 | 第74-82页 |
| ·器件的制备工艺和器件结构 | 第74-75页 |
| ·材料的吸收谱和光致发光谱 | 第75-76页 |
| ·基于旋涂发光层的多层掺杂器件 D (ITO/PVK:(4-tert)ZnPc /BCP/Alq3/Al) | 第76-79页 |
| ·单层三元掺杂旋涂电致发光器件E (ITO/PVK:Alq3:(4-tert)ZnPc /Al) | 第79-82页 |
| ·小结 | 第82-83页 |
| 第四章 基于酞菁的有机薄膜场效应晶体管的研究 | 第83-102页 |
| ·引言 | 第83-84页 |
| ·铜酞菁薄膜场效应晶体管的制备 | 第84-92页 |
| ·材料体系的选择 | 第84-88页 |
| ·器件结构的选择 | 第88-89页 |
| ·实验仪器和设备 | 第89-90页 |
| ·制备工艺的优化 | 第90-92页 |
| ·薄膜结构和表面形貌 | 第92-96页 |
| ·X射线衍射（XRD）测试 | 第92-93页 |
| ·原子力显微镜（AFM）测试 | 第93-95页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM）测试 | 第95-96页 |
| ·不同绝缘层上CuPc薄膜晶体管的电学性能 | 第96-99页 |
| ·器件的电学性质 | 第96-98页 |
| ·结果和讨论 | 第98-99页 |
| ·基于其它酞菁的有机薄膜场效应晶体管 | 第99-101页 |
| ·小结 | 第101-102页 |
| 第五章 酞菁和其它有机光电材料的椭偏研究 | 第102-130页 |
| ·椭偏仪测量基本原理 | 第102-108页 |
| ·偏振光 | 第103-104页 |
| ·椭偏仪测量原理 | 第104-106页 |
| ·实验仪器介绍 | 第106-107页 |
| ·椭偏仪测量技术的特点和优点 | 第107-108页 |
| ·近似透明材料薄膜的椭偏研究 | 第108-115页 |
| ·薄膜的制备和椭偏测量 | 第109页 |
| ·椭偏数据分析一般过程 | 第109-112页 |
| ·薄膜的光学常数 | 第112-115页 |
| ·酞菁薄膜的椭偏研究 | 第115-121页 |
| ·薄膜的制备和椭偏测量 | 第115-116页 |
| ·钛氧酞菁薄膜的光学性质和拟合方法的比较 | 第116-120页 |
| ·钛氧酞菁薄膜的吸收谱和光学禁带宽度 | 第120-121页 |
| ·取代基对酞菁薄膜光学性质的影响 | 第121-129页 |
| ·薄膜的制备和椭偏测量 | 第122-123页 |
| ·不同取代基锌酞菁薄膜的光学性质 | 第123-127页 |
| ·不同取代基锌酞菁薄膜的吸收谱和光学禁带宽度 | 第127-129页 |
| ·小结 | 第129-130页 |
| 结论 | 第130-133页 |
| 参考文献 | 第133-151页 |
| 致谢 | 第151-152页 |
| 攻博期间发表的学术论文及其他成果 | 第152-156页 |
| 摘要 | 第156-160页 |
| Abstract | 第160-164页 |
