半环形腔主振光放大器技术研究

摘要	第1-5页
ABSTRACT	第5-6页
目录	第6-7页
绪论	第7-13页
·半导体激光器的发展回顾	第7-8页
·环形腔半导体激光器国内外发展状况	第8-9页
·半导体激光放大器概述	第9-12页
·论文研究的目的和内容	第12-13页
第二章 主振功率光放大器(MOPA)的理论分析	第13-33页
·主振动区波动方程	第13-15页
·主振区电学方程	第15-20页
·主振区有源层量子尺寸效应	第20-21页
·锥形放大区	第21-22页
·主振区损耗分析	第22-24页
·边界条件	第24-28页
·数值模拟结果	第28-33页
第三章 光辅助刻蚀的基本原理及其优化	第33-43页
·光辅助刻蚀的基本原理	第33-34页
·能带结构图在光辅助刻蚀过程的影响	第34-36页
·光的波导效应及其相关优化分析	第36-40页
·基片厚度和载流子扩散长度对光辅助刻蚀的影响	第40-41页
·正性光刻胶抗激光腐蚀性能研究	第41-43页
第四章 腐蚀结果及其分析	第43-52页
·半导体激光器的后工艺流程	第43-44页
·光辅助刻蚀基片的制备	第44页
·通过光强强度实现n型衬底边向角θ可控	第44-47页
·p型衬底的刻蚀及其改进方案	第47-49页
·光化学液相次序选择腐蚀	第49-52页
结束语	第52-53页
致谢	第53-54页
参考文献	第54-56页