| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 1 综述 | 第11-22页 |
| ·本论文的研究背景及意义 | 第11-12页 |
| ·光电导开关的发展历史及现状 | 第12-13页 |
| ·光电导开关应用前景 | 第13-15页 |
| ·光电导开关的基本结构 | 第15页 |
| ·光电导开关的工作模式 | 第15-19页 |
| ·线性工作模式 | 第16页 |
| ·非线性工作模式 | 第16-19页 |
| ·本论文研究的主要内容 | 第19-22页 |
| 2 半绝缘GaAs的材料特性 | 第22-31页 |
| ·半绝缘GaAs能带结构 | 第22-23页 |
| ·半绝缘GaAs的杂质和缺陷 | 第23-24页 |
| ·单能级的产生和复合 | 第24-26页 |
| ·半绝缘GaAs的电阻率 | 第26-27页 |
| ·半绝缘GaAs电阻率的测量数据 | 第26页 |
| ·电阻率与杂质浓度和温度的关系 | 第26-27页 |
| ·半绝缘GaAs中的迁移率 | 第27-29页 |
| ·半绝缘GaAs中的光吸收 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 3 半绝缘GaAs光电导开关中散射机制的选取 | 第31-46页 |
| ·散射理论 | 第31-33页 |
| ·半导体材料中散射机制的散射率和散射终态的推导 | 第33-42页 |
| ·晶格振动散射 | 第33-38页 |
| ·电离杂质的散射 | 第38-41页 |
| ·谷间散射 | 第41-42页 |
| ·半绝缘GaAS散射机制的比较 | 第42-45页 |
| ·杂质散射 | 第42页 |
| ·晶格振动散射 | 第42-43页 |
| ·谷间散射 | 第43页 |
| ·其它散射 | 第43-44页 |
| ·散射率的比较 | 第44-45页 |
| ·散射机制的选取 | 第45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 4 半绝缘GaAs光电导开关特性参数对散射率的影响 | 第46-56页 |
| ·半绝缘GaAs光电导开关线性工作模式下的传输性能参数 | 第46页 |
| ·半绝缘GaAs光电导开关中的光电导表达式 | 第46-49页 |
| ·温度对半绝缘GaAs先电导开关散射率的影响 | 第49-52页 |
| ·声学波散射 | 第49-50页 |
| ·光学波散射 | 第50-51页 |
| ·谷间散射 | 第51-52页 |
| ·杂质散射 | 第52页 |
| ·光功率对散射率的影响 | 第52-54页 |
| ·开关缝隙对散射率的影响 | 第54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 5 半绝缘GaAs光电导开关线性工作模式下的实验研究 | 第56-77页 |
| ·实验装置 | 第56-57页 |
| ·线性模式下的实验结果分析 | 第57-66页 |
| ·触发光脉冲测试 | 第57-59页 |
| ·偏置电压的改变对输出特性的影响 | 第59-61页 |
| ·触发光脉冲能量的改变对输出特性的影响 | 第61-64页 |
| ·开关间隙的改变对输出特性的影响 | 第64-66页 |
| ·光生载流子浓度动态变化对输出电脉冲响应速度的影响 | 第66-69页 |
| ·线性模式下输出电脉冲展宽现象的理论分析 | 第69-72页 |
| ·光电导开关特性参数对输出电脉冲幅值的影响 | 第72-76页 |
| ·开关电极间隙对输出电脉冲幅值的影响 | 第72-73页 |
| ·触发光能对输出电脉冲幅值的影响 | 第73-75页 |
| ·光波波长对输出电脉冲幅值的影响 | 第75-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 6 非线性模式下响应特性的实验研究及理论分析 | 第77-92页 |
| ·非线性模式下实验结果 | 第77-80页 |
| ·高场下半导体材料的转移电子效应 | 第80-82页 |
| ·高场下半绝缘GaAs体内高场畴的产生及必要条件 | 第82-84页 |
| ·半绝缘GaAs光电导开关非线性模式的物理机制 | 第84-85页 |
| ·半绝缘GaAs光电导开关非线性模式的光电阈值条件 | 第85-88页 |
| ·高场下半绝缘GaAs光电导开关的光电延迟特性分析 | 第88-89页 |
| ·半绝缘GaAs光电导开关奇异光电导现象的分析 | 第89-91页 |
| ·本章小结 | 第91-92页 |
| 7 开关损伤的机理分析及其丝状电流的分布 | 第92-114页 |
| ·开关损伤的实验研究 | 第92-96页 |
| ·芯片材料为3mm且没有绝缘封装的开关的实验结果 | 第93-94页 |
| ·芯片材料为3mm且经过绝缘封装的开关的实验结果 | 第94页 |
| ·芯片材料为8mm且经过绝缘封装的开关的实验情况 | 第94-95页 |
| ·电极损伤实验 | 第95页 |
| ·开关损伤前后电阻变化测试 | 第95-96页 |
| ·开关芯片材料损伤机理 | 第96-103页 |
| ·暗态条件下的击穿 | 第96-98页 |
| ·导通状态下的不可恢复性损伤 | 第98-103页 |
| ·丝状电流密度及分布的计算 | 第103-110页 |
| ·可恢复性损伤 | 第110-112页 |
| ·开关电极损伤机理分析 | 第112-113页 |
| ·本章小结 | 第113-114页 |
| 8 提高光电导开关性能及寿命的优化设计 | 第114-123页 |
| ·开关材料的选择 | 第114-115页 |
| ·激励光源的选择 | 第115-116页 |
| ·芯片材料优化设计 | 第116-118页 |
| ·电极结构的优化设计 | 第118-121页 |
| ·电极材料的选择 | 第121-122页 |
| ·电极接触的改善 | 第122页 |
| ·本章小结 | 第122-123页 |
| 9 结论及后续工作展望 | 第123-125页 |
| ·结论 | 第123-124页 |
| ·后续工作展望 | 第124-125页 |
| 致谢 | 第125-126页 |
| 参考文献 | 第126-133页 |
| 附录 | 第133-134页 |
| 附录A 相关参数表 | 第133-134页 |
| 在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第134页 |
