| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-24页 |
| ·纳米材料及其基本物理效应 | 第9-11页 |
| ·ZnO 纳米半导体材料的基本性质 | 第11-14页 |
| ·ZnO 纳米棒的研究进展 | 第14-22页 |
| ·本论文的研究目的及内容 | 第22-24页 |
| 第二章 ZnO 纳米棒阵列的制备及表征 | 第24-36页 |
| ·实验药品、仪器和设备 | 第24-25页 |
| ·实验流程 | 第25-26页 |
| ·基片的清洗 | 第25页 |
| ·ZnO 纳米颗粒种子膜的制备 | 第25-26页 |
| ·ZnO 纳米棒阵列的制备 | 第26页 |
| ·样品的表征 | 第26页 |
| ·实验结果与讨论 | 第26-34页 |
| ·溶胶稳定性对生长ZnO 纳米棒的影响 | 第27-28页 |
| ·拉膜厚度对生长ZnO 纳米棒阵列的影响 | 第28-29页 |
| ·热处理温度对生长ZnO 纳米棒阵列的影响 | 第29-30页 |
| ·不同尺寸及阵列微结构的ZnO 纳米棒阵列 | 第30-31页 |
| ·择优取向生长的ZnO 纳米棒阵列 | 第31-34页 |
| ·本章小结 | 第34-36页 |
| 第三章 ZnO 纳米棒阵列的浸润及光学性质 | 第36-47页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·ZnO 纳米棒尺寸及阵列微结构对其浸润性的影响 | 第36-40页 |
| ·尺寸和阵列微结构的变化对浸润性的影响 | 第36-38页 |
| ·UV 照射对不同尺寸及微结构的ZnO 纳米棒浸润性的影响 | 第38-40页 |
| ·具有 a 轴和 c 轴取向生长的 ZnO 纳米棒阵列的浸润及光学性质 | 第40-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 Ga-N 共掺 ZnO 纳米棒阵列的制备及其光学性能研究 | 第47-58页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·掺杂原理 | 第47-49页 |
| ·实验 | 第49-51页 |
| ·实验仪器及药品 | 第49页 |
| ·实验流程 | 第49-50页 |
| ·Ga 盐的制备 | 第50-51页 |
| ·ZnO 种子薄膜的制备 | 第51页 |
| ·Ga-N 共掺ZnO 纳米棒阵列的制备 | 第51页 |
| ·样品的测试与表征 | 第51-57页 |
| ·表征方法 | 第51页 |
| ·SEM 表面形貌分析 | 第51-53页 |
| ·掺杂ZnO 纳米棒阵列的结构分析 | 第53-54页 |
| ·掺杂ZnO 纳米棒阵列的吸收性能 | 第54-55页 |
| ·掺杂ZnO 纳米棒阵列的光致发光性能 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 全文总结 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
