有机薄膜晶体管的研究--高性能PMMA栅绝缘膜的制备与分析
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 导论 | 第7-17页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·OTFT 简介 | 第7-11页 |
| ·OTFT 的结构 | 第7-10页 |
| ·OTFT 的工作原理 | 第10页 |
| ·OTFT 的应用与发展趋势 | 第10-11页 |
| ·绝缘膜材料以及国内外研究进展 | 第11-15页 |
| ·无机绝缘层材料 | 第11-13页 |
| ·有机绝缘层材料 | 第13-15页 |
| ·SAM/多层膜材料 | 第15页 |
| ·本论文的工作 | 第15-17页 |
| 第二章 绝缘膜性能测量与分析基础 | 第17-24页 |
| ·电学测量基本原理 | 第17-18页 |
| ·半导体掺杂浓度 | 第17-18页 |
| ·表面固定电荷密度 | 第18页 |
| ·绝缘层陷阱密度 | 第18页 |
| ·介质极化理论 | 第18-19页 |
| ·影响介电性能的因素 | 第19-20页 |
| ·薄膜漏电机制 | 第20-24页 |
| ·肖特基发射理论 | 第22页 |
| ·Poole-Frenkel 效应 | 第22-23页 |
| ·遂穿导电 | 第23-24页 |
| 第三章 PMMA 薄膜的制备与电学性能研究 | 第24-47页 |
| ·PMMA 绝缘层的制备工艺 | 第24-26页 |
| ·溶液浓度、旋涂速度对 PMMA 电学性能的影响 | 第26-29页 |
| ·溶液浓度的影响 | 第26-29页 |
| ·旋涂速度的影响 | 第29页 |
| ·PMMA 分子量对其电学性能的影响 | 第29-36页 |
| ·分子量对 C-F 曲线的影响 | 第30页 |
| ·不同分子量 PMMA 的 C-V 迟滞特性 | 第30-33页 |
| ·不同分子量的 J-V 特性 | 第33-36页 |
| ·结论 | 第36页 |
| ·退火温度对 PMMA 电学性能的影响 | 第36-45页 |
| ·退火温度对电容频率特性的影响 | 第37-38页 |
| ·退火温度对 CV 特性的影响 | 第38-42页 |
| ·退火温度对 JV 曲线的影响 | 第42页 |
| ·退火温度对高频 CV 迟滞效应的影响 | 第42-44页 |
| ·结论 | 第44-45页 |
| ·退火时间对 PMMA 电学性能的影响 | 第45-47页 |
| 第四章 OTFT 器件性能 | 第47-58页 |
| ·Ag 电极的制备工艺 | 第47-51页 |
| ·激光煅烧法 | 第47-50页 |
| ·喷墨印刷法 | 第50-51页 |
| ·OTFT 器件制作工艺 | 第51-53页 |
| ·以高掺杂硅片为栅电极的晶体管制造工艺 | 第51-52页 |
| ·以激光煅烧的银电极为栅电极的晶体管制造工艺 | 第52-53页 |
| ·器件特性主要参数的获取与分析 | 第53-58页 |
| 第五章 结论与展望 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 附录：作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第66页 |
