| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| ·微电子的发展历史和遇到的问题 | 第10-14页 |
| ·硅微电子的发展历史 | 第10-11页 |
| ·遇到的问题 | 第11-14页 |
| ·可能解决的方案 | 第14-17页 |
| ·单电子学研究的简介 | 第17-22页 |
| ·单电子器件加工技术研究的简介 | 第17-19页 |
| ·单电子器件数值模拟研究的简介 | 第19-22页 |
| ·论文的主要工作 | 第22-23页 |
| 第二章 单电子学的基本理论 | 第23-42页 |
| ·单电子学研究简史 | 第23-26页 |
| ·单电子现象 | 第26-30页 |
| ·库仑阻塞现象 | 第27-28页 |
| ·库仑台阶现象 | 第28-30页 |
| ·性能的理论预期 | 第30-31页 |
| ·测控条件和电源影响 | 第31-33页 |
| ·测控条件 | 第31-33页 |
| ·电源影响 | 第33页 |
| ·理论背景 | 第33-41页 |
| ·正统理论 | 第34-38页 |
| ·超正统理论 | 第38-41页 |
| ·小结 | 第41-42页 |
| 第三章 单电子结的SPICE模型 | 第42-50页 |
| ·网络分析理论的简介 | 第42-43页 |
| ·脉冲电路模型 | 第43-44页 |
| ·电子遂穿模型 | 第44-45页 |
| ·SPICE模型的解释 | 第45-46页 |
| ·双向遂穿的考虑 | 第46-47页 |
| ·避免同时遂穿的考虑 | 第47-48页 |
| ·单电子结遂穿电阻的考虑 | 第48-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 第四章 基于正统理论的单电子晶体管特性分析 | 第50-57页 |
| ·遂穿几率的分析 | 第51-53页 |
| ·单电子晶体管的特性分析 | 第53-56页 |
| ·小结 | 第56-57页 |
| 第五章 基于SPICE模型的单电子晶体管特性分析 | 第57-66页 |
| ·单电子学基本现象的模拟 | 第58-60页 |
| ·库仑台阶现象的模拟 | 第58-59页 |
| ·库仑阻塞现象的模拟 | 第59-60页 |
| ·各种情况下的Ⅰ-Ⅴ特性模拟 | 第60-65页 |
| ·不同栅压下的Ⅰ_(ds)-Ⅴ_(gs)特性模拟 | 第60-63页 |
| ·不同背景电荷下的Ⅰ_(ds)-Ⅴ_(ds)特性模拟 | 第63-64页 |
| ·不同栅压下的Ⅰ_(ds)-Ⅴ_(ds)特性模拟 | 第64页 |
| ·不同寄生电容下的Ⅰ_(ds)-Ⅴ_(ds)特性模拟 | 第64-65页 |
| ·不同耦合电容下的Ⅰ_(ds)-Ⅴ_(ds)特性模拟 | 第65页 |
| ·小结 | 第65-66页 |
| 第六章 结论与展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 附录A | 第71-73页 |
| 附录B | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
