| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第一章 热电材料综述 | 第12-19页 |
| ·三种热电效应 | 第12-13页 |
| ·热电优值ZT | 第13-14页 |
| ·热电材料研究的现状 | 第14-18页 |
| ·传统热电材料的研究 | 第14-15页 |
| ·新型热电材料 | 第15-17页 |
| ·其它热电材料 | 第17页 |
| ·热电优值无理论上限值 | 第17-18页 |
| ·热电材料的研究意义 | 第18-19页 |
| 第二章 half-Heusler 热电材料 | 第19-23页 |
| ·half-Heusler 化合物特点 | 第19页 |
| ·half-Heusler 化合物研究现状 | 第19-20页 |
| ·N 型材料 | 第19-20页 |
| ·P 型材料 | 第20页 |
| ·热电性能提高方法 | 第20-22页 |
| ·降低热导率来提高热电性能 | 第20-21页 |
| ·提高电导率来提高热电性能 | 第21页 |
| ·提高塞贝克系数来提高热电性能 | 第21-22页 |
| ·half-Heusler 的其他研究 | 第22页 |
| ·half-Heusler 化合物研究前景展望 | 第22-23页 |
| 第三章 half-Heusler 化合物合成及性能测试 | 第23-39页 |
| ·晶核的形成及长大 | 第23-31页 |
| ·动力学因素 | 第23-27页 |
| ·相变驱动力 | 第23页 |
| ·弯曲界面的平衡与相变位垒 | 第23-24页 |
| ·均匀成核 | 第24-25页 |
| ·非均匀成核 | 第25页 |
| ·再结晶成核 | 第25-27页 |
| ·晶体学因素 | 第27-28页 |
| ·负离子配位多面体生长基元模型 | 第27页 |
| ·负离子配位多面体生长基元模型的规律 | 第27页 |
| ·负离子配位多面体生长基元模型的适用性 | 第27页 |
| ·负离子配位多面体生长基元模型的特点 | 第27-28页 |
| ·热力学因素 | 第28-31页 |
| ·单相固溶体的凝固 | 第28-30页 |
| ·晶核的长大与相图 | 第30页 |
| ·热处理工艺对晶体的影响 | 第30-31页 |
| ·half-Heusler 化合物的制备加工方法 | 第31-36页 |
| ·真空电弧炉放电熔炼 | 第31页 |
| ·熔盐法 | 第31-33页 |
| ·机械合金化 | 第33-35页 |
| ·水热法 | 第35页 |
| ·退火 | 第35-36页 |
| ·冷压，热压烧结， SPS 烧结 | 第36页 |
| ·性能表征 | 第36-39页 |
| ·物相的表征 | 第36页 |
| ·热导率的测试 | 第36-37页 |
| ·电学性能的测试 | 第37-39页 |
| 第四章 half-Heusler 化合物初探 | 第39-50页 |
| ·本章所用试剂统计表 | 第39页 |
| ·真空电弧炉方法制备新型half-Heusler 化合物实验 | 第39-46页 |
| ·试制NiMnX（X=Ge，Si） | 第39-44页 |
| ·试制ZrNiSn | 第44-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| ·稀土La 替代ZrNiSn 基Zr 化合物制备及其电学性能研究 | 第46-50页 |
| ·制取样品 | 第46页 |
| ·物相表征 | 第46-48页 |
| ·塞贝克系数的测定 | 第48-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 第五章 稀土替代ZrNiSn 基化合物的进一步研究 | 第50-61页 |
| ·本章所用试剂统计表 | 第50页 |
| ·制取样品 | 第50页 |
| ·物相表征 | 第50-55页 |
| ·热导率的测定 | 第55-57页 |
| ·电导率的测定 | 第57-58页 |
| ·塞贝克系数的测定 | 第58-59页 |
| ·ZT 值的计算 | 第59-60页 |
| ·小结 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-70页 |
| 附录: 作者在读期间发表的学术论文及参加的科研项目 | 第70-71页 |
| 详细摘要 | 第71-73页 |
