| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-27页 |
| 第一节 GaN材料的基本性质及研究进展 | 第10-16页 |
| 第二节 低维GaN材料的研究概况 | 第16-23页 |
| 第三节 Mg的基本性质以及应用 | 第23-25页 |
| 第四节 课题来源及选题依据 | 第25-27页 |
| 第二章 实验设备和测试方法 | 第27-37页 |
| 第一节 实验设备 | 第27-29页 |
| 第二节 实验中所需要的主要材料和试剂 | 第29页 |
| 第三节 测试表征手段 | 第29-37页 |
| 第三章 共溅法制备一维Mg掺杂GaN纳米材料的研究 | 第37-64页 |
| 第一节 一维Mg掺杂GaN纳米材料的制备 | 第37-39页 |
| 第二节 氨化时间对合成一维GaN纳米结构的影响 | 第39-46页 |
| 第三节 氨化温度对合成一维GaN纳米结构的影响 | 第46-56页 |
| 第四节 Mg掺杂浓度对合成一维GaN纳米结构的影响 | 第56-60页 |
| 第五节 一维GaN纳米材料的生长机制初探 | 第60-63页 |
| 第六节 本章小结 | 第63-64页 |
| 第四章 结论 | 第64-67页 |
| 第一节 本论文的主要研究内容及成果 | 第64-65页 |
| 第二节 对今后工作的建议 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-75页 |
| 论文作者在学期间发表的学术论文目录 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77页 |