纳米半导体氧化亚铜的制备、表征及光电性能分析研究
| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 综述 | 第10-29页 |
| ·氧化亚铜的性质、制备及应用 | 第10-16页 |
| ·氧化亚铜的基本物理性质[1-7] | 第10-11页 |
| ·氧化亚铜的应用前景 | 第11-13页 |
| ·在船舶防污涂料方面的应用 | 第11页 |
| ·在光催化方面的应用 | 第11-12页 |
| ·在其它方面的应用 | 第12-13页 |
| ·氧化亚铜的制备方法 | 第13-16页 |
| ·纳米晶体材料的形状和尺寸控制与生长理论 | 第16-20页 |
| ·纳米材料的形状和尺寸与性质 | 第16页 |
| ·晶体生长理论 | 第16-19页 |
| ·一些用于形貌控制的方法 | 第19-20页 |
| ·ITO电极简介 | 第20-21页 |
| ·本论文选题思路和主要研究内容 | 第21-23页 |
| 参考文献 | 第23-29页 |
| 第二章 电沉积氧化亚铜的成核与生长研究 | 第29-40页 |
| ·前言 | 第29页 |
| ·实验部分 | 第29-31页 |
| ·仪器与试剂 | 第29-30页 |
| ·电沉积氧化亚铜 | 第30-31页 |
| ·结果与讨论 | 第31-37页 |
| ·循环伏安法分析 | 第31-32页 |
| ·恒电位沉积及成核机理分析 | 第32-35页 |
| ·扫描电子显微镜分析 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-40页 |
| 第三章 电压脉冲法制备纳米氧化亚铜树枝状结构 | 第40-53页 |
| ·前言 | 第40-41页 |
| ·实验部分 | 第41页 |
| ·原料与试剂 | 第41页 |
| ·电沉积枝状纳米氧化亚铜结构 | 第41页 |
| ·表征 | 第41页 |
| ·结果与讨论 | 第41-49页 |
| ·恒电位沉积与电压脉冲沉积的比较 | 第41-44页 |
| ·生长过程 | 第44-45页 |
| ·生长机理 | 第45-48页 |
| ·脉冲间隔和脉冲时间的影响 | 第48页 |
| ·沉积电位的影响 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 第四章 氧化亚铜的光电效应研究 | 第53-62页 |
| ·前言 | 第53-54页 |
| ·实验部分 | 第54页 |
| ·试剂与仪器 | 第54页 |
| ·氧化亚铜的光电效应 | 第54页 |
| ·结果与讨论 | 第54-60页 |
| ·加入表面活性剂PEG后循环伏安行为研究 | 第54-55页 |
| ·加入表面活性剂PEG对光电效应的影响 | 第55-57页 |
| ·树枝状氧化亚铜的光电效应及光学性质 | 第57-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-62页 |
| 第五章 结论与展望 | 第62-64页 |
| ·结论 | 第62页 |
| ·展望 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
