新型CaB4晶体的生长与物理性质研究
摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-12页 |
第1章 绪论 | 第12-26页 |
·硼及其化合物简介 | 第12-16页 |
·单质硼的性质 | 第12-13页 |
·硼的化合物及性质 | 第13页 |
·二元金属硼化物的晶体结构 | 第13-14页 |
·硼化物的性质和用途 | 第14-16页 |
·钙硼化合物的制备 | 第16-17页 |
·CaB_6 粉末制备方法 | 第16-17页 |
·CaB_6 多晶体合成 | 第17页 |
·CaB_6 单晶体合成 | 第17页 |
·CaB_4 晶体的合成 | 第17-20页 |
·常压下C 掺杂CaB_4 晶体的合成 | 第18-20页 |
·高压下CaB_4 晶体的合成 | 第20页 |
·掺杂CaB_6 晶体的磁性 | 第20-21页 |
·第一性原理计算简介 | 第21-24页 |
·论文研究目的和内容 | 第24-26页 |
第2章 CaB_4的性能研究 | 第26-62页 |
·CaB_4 晶体的生长模式 | 第26-31页 |
·高温高压合成实验 | 第26-27页 |
·实验合成晶体的形貌 | 第27-28页 |
·晶体的生长规律 | 第28-31页 |
·CaB_4 晶体结构和成分分析 | 第31-34页 |
·CaB_4 单晶体衍射分析 | 第31-33页 |
·CaB_4 晶体成分分析 | 第33-34页 |
·CaB_4 单晶体的导电性 | 第34-44页 |
·CaB_4 单晶体的导电性测量 | 第35-36页 |
·CaB_4 单晶体的电阻率随温度的变化 | 第36-41页 |
·CaB_4 单晶体电阻在磁场中的变化 | 第41-42页 |
·CaB_4 单晶体霍尔系数的测量 | 第42-44页 |
·CaB_4 晶体的热容测量 | 第44-47页 |
·CaB_4 的磁性研究 | 第47-52页 |
·CaB_6 晶体的磁性 | 第47-48页 |
·CaB_4 晶体的磁性分析 | 第48-52页 |
·CaB_4 晶体的红外和喇曼散射光谱分析 | 第52-57页 |
·CaB_4 样品的红外吸收光谱 | 第53-54页 |
·CaB_4 晶体的喇曼散射光谱 | 第54-57页 |
·CaB_4 单晶体的硬度 | 第57-58页 |
·CaB_4 单晶体的场发射性能 | 第58-60页 |
·本章小结 | 第60-62页 |
第3章 CaB_4的掺杂实验 | 第62-72页 |
·掺杂元素的选择 | 第62页 |
·镁元素掺杂实验 | 第62-63页 |
·锰元素掺杂实验 | 第63-71页 |
·合金的制备及分析 | 第63-66页 |
·Mn 掺杂CaB_4 的磁性分析 | 第66-67页 |
·Mn 掺杂CaB_4 的喇曼散射光谱分析 | 第67-70页 |
·Mn 掺杂CaB_4 的电阻 | 第70-71页 |
·本章小结 | 第71-72页 |
第4章 CaB_4的第一性原理研究 | 第72-88页 |
·CaB_4 晶体的理论计算 | 第72-74页 |
·CaB_4 晶体的形成焓 | 第74-76页 |
·CaB_4 晶体的光学常数计算 | 第76-80页 |
·CaB_4 的折射色散谱 | 第76-78页 |
·CaB_4 晶体的介电系数和光吸收色散谱 | 第78-79页 |
·CaB_4 晶体的光电导和损耗系数色散谱 | 第79页 |
·CaB_4 晶体的反射系数色散谱 | 第79-80页 |
·CaB_4 晶体的弹性性质 | 第80-81页 |
·CaB_4 晶体的费米面 | 第81-82页 |
·CaB_4 晶体的声子振动 | 第82-86页 |
·红外吸收和喇曼散射选择定则 | 第83-84页 |
·CaB_4 晶体红外吸收和喇曼散射的理论计算 | 第84-86页 |
·本章小结 | 第86-88页 |
第5章 掺杂CaB_4的第一性原理研究 | 第88-98页 |
·CaB_4 晶体的第一主族元素掺杂 | 第88-90页 |
·CaB_4 晶体的第二主族元素掺杂 | 第90-91页 |
·CaB_4 晶体的氮、氧元素掺杂 | 第91-92页 |
·CaB_4 晶体的铁磁性元素掺杂 | 第92-95页 |
·CaB_4 晶体的其它元素掺杂 | 第95-97页 |
·本章小结 | 第97-98页 |
结论 | 第98-100页 |
参考文献 | 第100-112页 |
攻读博士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第112-114页 |
致谢 | 第114-115页 |
作者简介 | 第115页 |