| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| ·半导体光放大器(SOA)的发展概况及其应用 | 第8-10页 |
| ·量子点(QD)SOA 的主要特点 | 第10-12页 |
| ·量子点SOA 的制作方法 | 第12-13页 |
| ·本论文的篇章结构 | 第13-14页 |
| 2 张应变量子阱耦合量子点SOA 的理论模型和能带计算 | 第14-25页 |
| ·张应变量子阱耦合量子点SOA 的载流子分配模型 | 第14-16页 |
| ·量子点耦合量子阱SOA 分节模型 | 第16-17页 |
| ·模拟计算及结果分析 | 第17-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 3 InAs 量子点的MOCVD 材料外延生长及测试 | 第25-36页 |
| ·MOCVD 材料外延生长及测试技术 | 第25-28页 |
| ·InAs 量子点的自组织生长 | 第28-29页 |
| ·InAs 量子点的外延生长条件优化 | 第29-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 4 InGaAs 盖层对量子点生长的影响 | 第36-43页 |
| ·样品的生长制备 | 第36-37页 |
| ·引入InGaAs 盖层对量子点的影响 | 第37-39页 |
| ·组分渐变的InGaAs 盖层 | 第39-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 5 衬底偏角对InAs 量子点外延生长的影响 | 第43-53页 |
| ·样品的生长制备 | 第43-44页 |
| ·衬底偏角对InAs 量子点结构性能的影响 | 第44-49页 |
| ·衬底偏角对InAs 量子点发光性能的影响 | 第49-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 6 全文总结 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 附录1 攻读学位期间发表论文目录 | 第61页 |