| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-25页 |
| 1.1 引言 | 第8-11页 |
| 1.2 MoS_2 简介 | 第11-18页 |
| 1.2.1 MoS_2 结构和性能 | 第12-13页 |
| 1.2.2 MoS_2 的制备方法 | 第13-18页 |
| 1.3 MoS_2 表面表面缺陷类型及钝化方法 | 第18-24页 |
| 1.3.1 MoS_2 表面缺陷类型 | 第18-19页 |
| 1.3.2 MoS_2 薄膜的表面钝化研究进展 | 第19-24页 |
| 1.4 本文的研究内容及意义 | 第24-25页 |
| 第二章 材料及器件的制备工艺及表征设备 | 第25-33页 |
| 2.1 MoS_2/Si太阳能电池的制备及测试流程 | 第25-26页 |
| 2.2 MoS_2/Si太阳能电池的制备设备 | 第26-28页 |
| 2.2.1 MoS_2 的制备 | 第26页 |
| 2.2.2 MoS_2 表面等离子体处理设备 | 第26-27页 |
| 2.2.3 兆声清洗系统 | 第27-28页 |
| 2.2.4 电子束蒸发设备 | 第28页 |
| 2.3 MoS_2/Si太阳能电池的制备设备 | 第28-33页 |
| 2.3.1 金相显微镜 | 第28-29页 |
| 2.3.2 光学数码显微镜 | 第29页 |
| 2.3.3 原子力显微镜 | 第29-30页 |
| 2.3.4 扫描电子显微镜 | 第30页 |
| 2.3.5 拉曼光谱仪 | 第30-31页 |
| 2.3.6 X射线光电子能谱 | 第31页 |
| 2.3.7 高分辨透射电子显微镜 | 第31-32页 |
| 2.3.8 光致发光光谱仪 | 第32页 |
| 2.3.9 太阳光模拟器 | 第32-33页 |
| 第三章 MoS_2 薄膜的生长及表面钝化研究 | 第33-47页 |
| 3.1 CVD法制备MoS_2 薄膜的生长工艺及表征 | 第33-37页 |
| 3.1.1 Mo箔退火流程及表征 | 第33-34页 |
| 3.1.2 MoS_2 薄膜的制备方法及参数 | 第34-35页 |
| 3.1.3 MoS_2 薄膜的转移 | 第35-36页 |
| 3.1.4 MoS_2 薄膜的综合表征与分析 | 第36-37页 |
| 3.2 MoS_2 薄膜的表面钝化方法及表征 | 第37-46页 |
| 3.2.1 MoS_2 薄膜的纯O2 等离子体处理及表征 | 第37-40页 |
| 3.2.2 MoS_2 薄膜的纯Ar等离子体处理及表征 | 第40-41页 |
| 3.2.3 MoS_2 薄膜的Ar/O2 等离子体处理及表征 | 第41-46页 |
| 3.3 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 基于表面钝化的MoS_2/Si肖特基太阳能电池 | 第47-55页 |
| 4.1 基于本征MoS_2/Si太阳能电池的制备与性能表征 | 第47-49页 |
| 4.1.1 制备MoS_2/Si太阳能电池 | 第47页 |
| 4.1.2 基于本征MoS_2/Si太阳能电池的性能表征 | 第47-49页 |
| 4.2 基于表面钝化MoS_2/Si太阳能电池的制备与性能表征 | 第49-54页 |
| 4.2.1 制备基于表面钝化MoS_2/Si太阳能电池 | 第49页 |
| 4.2.2 不同Ar/O2 处理参数的MoS_2/Si太阳能电池性能表征 | 第49-54页 |
| 4.3 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-64页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
