| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 纳米材料概况 | 第8-10页 |
| 1.1.1 纳米材料分类 | 第8-9页 |
| 1.1.2 纳米材料特性 | 第9页 |
| 1.1.3 纳米材料生长机制 | 第9-10页 |
| 1.1.4 纳米材料应用 | 第10页 |
| 1.2 GaN材料 | 第10-12页 |
| 1.2.1 GaN材料的基本性质 | 第11-12页 |
| 1.2.2 GaN材料的应用 | 第12页 |
| 1.3 GaN纳米材料生长工艺 | 第12-13页 |
| 1.4 GaN纳米材料国内外研究进展 | 第13-16页 |
| 1.5 本文选题依据与研究内容 | 第16-18页 |
| 1.5.1 本文选题依据 | 第16-17页 |
| 1.5.2 本文研究内容 | 第17-18页 |
| 2 不同浓度Sb掺杂GaN纳米线的密度泛函理论研究 | 第18-30页 |
| 2.1 理论基础 | 第18-21页 |
| 2.1.1 第一性原理简介 | 第18页 |
| 2.1.2 密度泛函理论 | 第18-20页 |
| 2.1.3 交换关联能 | 第20-21页 |
| 2.1.4 Materials Studio(MS)和VASP软件包简介 | 第21页 |
| 2.2 计算方法和模型构建 | 第21-23页 |
| 2.2.1 计算方法 | 第21-22页 |
| 2.2.2 模型构建 | 第22-23页 |
| 2.3 计算结果与分析 | 第23-29页 |
| 2.3.1 形成能 | 第23-24页 |
| 2.3.2 能带结构 | 第24-25页 |
| 2.3.3 电子态密度 | 第25-28页 |
| 2.3.4 局域电荷密度 | 第28页 |
| 2.3.5 功函数 | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 3 Sb掺杂GaN纳米线的制备及表征 | 第30-48页 |
| 3.1 实验仪器 | 第30页 |
| 3.2 Si衬底的处理和催化剂的制备 | 第30-31页 |
| 3.2.1 Si衬底的处理 | 第30-31页 |
| 3.2.2 催化剂的制备 | 第31页 |
| 3.3 实验方法和药品试剂 | 第31-33页 |
| 3.3.1 实验方法 | 第31-32页 |
| 3.3.2 药品试剂 | 第32-33页 |
| 3.4 样品表征方法 | 第33-34页 |
| 3.4.1 场发射扫描电子显微镜(SEM) | 第33页 |
| 3.4.2 能量色散X射线光谱仪(EDS) | 第33-34页 |
| 3.4.3 X射线衍射仪(XRD) | 第34页 |
| 3.5 样品制备及形貌分析 | 第34-42页 |
| 3.5.1 氨化温度对Sb掺杂GaN纳米线形貌的影响 | 第34-36页 |
| 3.5.2 氨化时间对Sb掺杂GaN纳米线形貌的影响 | 第36-38页 |
| 3.5.3 氨气流量对Sb掺杂GaN纳米线形貌的影响 | 第38-40页 |
| 3.5.4 掺杂质量比对Sb掺杂GaN纳米线形貌的影响 | 第40-42页 |
| 3.6 不同掺杂质量比的Sb掺杂GaN纳米线物相分析 | 第42-45页 |
| 3.6.1 不同掺杂质量比的Sb掺杂GaN纳米线XRD分析 | 第42-44页 |
| 3.6.2 不同掺杂质量比的Sb掺杂GaN纳米线EDS分析 | 第44-45页 |
| 3.7 Sb掺杂GaN纳米线的生长机制分析 | 第45页 |
| 3.8 本章小结 | 第45-48页 |
| 4 结论和展望 | 第48-50页 |
| 4.1 本文主要结论 | 第48页 |
| 4.2 展望 | 第48-50页 |
| 致谢 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-58页 |
| 附录 | 第58页 |
