| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-25页 |
| 1.1 引言 | 第10-12页 |
| 1.2 黄绿光GaN基LED面临的主要问题 | 第12-16页 |
| 1.2.1 晶体质量退化 | 第12-14页 |
| 1.2.2 有源区极化电场强化 | 第14-16页 |
| 1.3 量子阱有源层中的V形坑 | 第16-23页 |
| 1.3.1 V形坑的结构 | 第16-18页 |
| 1.3.2 V形坑的形成 | 第18-19页 |
| 1.3.3 V形坑的作用 | 第19-23页 |
| 1.4 本论文的研究内容及行文安排 | 第23-25页 |
| 第2章 高质量高In组分准备层的制备与表征 | 第25-43页 |
| 2.1 引言 | 第25页 |
| 2.2 实验与结果 | 第25-42页 |
| 2.2.1 单层InGaN结构与多层InGaN/GaN结构 | 第26-34页 |
| 2.2.2 不同生长速率的多层InGaN/GaN | 第34-37页 |
| 2.2.3 不同铟镓比的多层InGaN/GaN | 第37-42页 |
| 2.3 本章小结 | 第42-43页 |
| 第3章 超晶格应力释放层生长温度对Si衬底GaN基黄光LED光电性能的影响 | 第43-65页 |
| 3.1 引言 | 第43-44页 |
| 3.2 实验 | 第44-45页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第45-63页 |
| 3.3.1 MQW有源区应变状态及晶体质量对比分析 | 第45-49页 |
| 3.3.2 EL发光效率对比分析 | 第49-52页 |
| 3.3.3 I-V特性对比分析 | 第52-63页 |
| 3.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 第4章 量子阱个数对Si衬底GaN基绿光LED光电性能的影响 | 第65-77页 |
| 4.1 引言 | 第65-66页 |
| 4.2 实验 | 第66-67页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第67-76页 |
| 4.3.1 工作电压对比分析 | 第67-70页 |
| 4.3.2 EL外量子效率对比分析 | 第70-76页 |
| 4.4 本章小结 | 第76-77页 |
| 第5章 量子垒H2处理对Si衬底GaN基单阱绿光LED光电性能的影响 | 第77-91页 |
| 5.1 引言 | 第77-78页 |
| 5.2 实验 | 第78-79页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第79-90页 |
| 5.3.1 EL外量子效率对比分析 | 第79-88页 |
| 5.3.2 漏电对比分析 | 第88-90页 |
| 5.4 本章小结 | 第90-91页 |
| 第6章 电子阻挡层位置对Si衬底GaN基单阱绿光LED发光性能的影响 | 第91-112页 |
| 6.1 引言 | 第91-92页 |
| 6.2 实验 | 第92-93页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第93-111页 |
| 6.3.1 EL发光波长对比分析 | 第93-97页 |
| 6.3.2 电子泄漏对比分析 | 第97-102页 |
| 6.3.3 空穴输运对比分析 | 第102-111页 |
| 6.4 本章小结 | 第111-112页 |
| 第7章 总结和展望 | 第112-114页 |
| 7.1 结论 | 第112-113页 |
| 7.2 展望 | 第113-114页 |
| 致谢 | 第114-115页 |
| 参考文献 | 第115-130页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第130页 |
