| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 ZnO材料的基本性质 | 第12-13页 |
| 1.3 ZnO材料的相关研究进展 | 第13-19页 |
| 1.3.1 高质量ZnO薄膜的研究进展 | 第13-15页 |
| 1.3.2 ZnO薄膜电输运性质的研究进展 | 第15-17页 |
| 1.3.3 ZnO薄膜磁输运性质的研究进展 | 第17-19页 |
| 1.4 ZnO薄膜中存在的关键问题 | 第19页 |
| 1.5 本论文的选题依据、研究内容和创新点 | 第19-22页 |
| 1.5.1 选题依据 | 第19-20页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第20-21页 |
| 1.5.3 创新点 | 第21-22页 |
| 第2章 薄膜的制备及表征方法 | 第22-31页 |
| 2.1 薄膜的制备方法 | 第22-25页 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积(PLD) | 第22-24页 |
| 2.1.2 等离子体辅助分子束外延(P-MBE) | 第24-25页 |
| 2.2 薄膜的表征方法 | 第25-31页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪(XRD) | 第25-26页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第26页 |
| 2.2.3 原子力显微镜(AFM) | 第26-27页 |
| 2.2.4 表面轮廓扫描仪(SP) | 第27页 |
| 2.2.5 光致发光光谱(PL) | 第27-28页 |
| 2.2.6 ET9000电输运性质测量系统(Hall) | 第28-29页 |
| 2.2.7 综合物理性能测试系统(PPMS) | 第29-31页 |
| 第3章 ZnO薄膜的制备及性能表征 | 第31-50页 |
| 3.1 薄膜的制备 | 第31-32页 |
| 3.1.1 衬底的选择与处理 | 第31页 |
| 3.1.2 薄膜的制备过程 | 第31-32页 |
| 3.2 基靶间距对ZnO薄膜性能的影响 | 第32-37页 |
| 3.2.1 不同基靶间距对ZnO薄膜晶体结构的影响 | 第33-34页 |
| 3.2.2 不同基靶间距对ZnO薄膜形貌的影响 | 第34-36页 |
| 3.2.3 不同基靶间距对ZnO薄膜光学性能的影响 | 第36-37页 |
| 3.2.4 不同基靶间距对ZnO薄膜电学性能的影响 | 第37页 |
| 3.3 脉冲频率对ZnO薄膜性能的影响 | 第37-43页 |
| 3.3.1 不同脉冲频率对ZnO薄膜晶体结构的影响 | 第38-39页 |
| 3.3.2 不同脉冲频率对ZnO薄膜形貌的影响 | 第39-41页 |
| 3.3.3 不同脉冲频率对ZnO薄膜光学性能的影响 | 第41-42页 |
| 3.3.4 不同脉冲频率对ZnO薄膜电学性能的影响 | 第42-43页 |
| 3.4 激光器压强对ZnO薄膜性能的影响 | 第43-49页 |
| 3.4.1 不同激光器压强对ZnO薄膜晶体结构的影响 | 第44-45页 |
| 3.4.2 不同激光器压强对ZnO薄膜形貌的影响 | 第45-47页 |
| 3.4.3 不同激光器压强对ZnO薄膜光学性能的影响 | 第47-48页 |
| 3.4.4 不同激光器压强对ZnO薄膜电学性能的影响 | 第48-49页 |
| 3.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 第4章 ZnO薄膜导电机理的研究 | 第50-62页 |
| 4.1 电学测试方法 | 第50-52页 |
| 4.1.1 电极制备工艺 | 第50-51页 |
| 4.1.2 电导测试与计算 | 第51-52页 |
| 4.2 导电机理的分析 | 第52-60页 |
| 4.2.1 半导体中的导电机制 | 第52-54页 |
| 4.2.2 数据分析方法 | 第54-55页 |
| 4.2.3 ZnO薄膜的导电机理分析 | 第55-60页 |
| 4.3 本章小结 | 第60-62页 |
| 第5章 ZnO薄膜电输运性质的研究 | 第62-82页 |
| 5.1 半导体中电学参数理论基础 | 第62-68页 |
| 5.1.1 载流子浓度 | 第62-65页 |
| 5.1.2 迁移率 | 第65-68页 |
| 5.2 非线性Hall电阻的修正 | 第68-74页 |
| 5.2.1 测试计算原理 | 第68-69页 |
| 5.2.2 实际测量结果 | 第69-73页 |
| 5.2.3 Hall电阻的修正 | 第73-74页 |
| 5.3 双层导电模型 | 第74-80页 |
| 5.3.1 电学测试结果 | 第74-76页 |
| 5.3.2 双层导电模型拟合 | 第76-78页 |
| 5.3.3 结果分析 | 第78-80页 |
| 5.4 本章小结 | 第80-82页 |
| 第6章 ZnO薄膜磁输运性质的研究 | 第82-95页 |
| 6.1 半导体中磁电阻 | 第82-83页 |
| 6.1.1 正磁阻 | 第82-83页 |
| 6.1.2 负磁阻 | 第83页 |
| 6.2 ZnO薄膜的磁电阻 | 第83-94页 |
| 6.2.1 ZnO薄膜的基本性质对比 | 第84-85页 |
| 6.2.2 ZnO薄膜的测试结果 | 第85-90页 |
| 6.2.3 拟合分析与讨论 | 第90-94页 |
| 6.3 本章小结 | 第94-95页 |
| 第7章 结论与展望 | 第95-97页 |
| 7.1 结论 | 第95-96页 |
| 7.2 展望 | 第96-97页 |
| 参考文献 | 第97-104页 |
| 致谢 | 第104-105页 |
| 攻读硕士学位期间参与的科研项目与研究成果 | 第105页 |
