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碳电极钙钛矿太阳能电池的优化工艺与影响因素研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第10-23页
    1.1 研究背景及意义第10-12页
    1.2 PSCs的器件结构及其工作原理第12-14页
        1.2.1 PSCs的器件结构第12-13页
        1.2.2 PSCs的工作原理第13-14页
    1.3 PSCs发展概况与面临的问题第14-17页
        1.3.1 介观结构电池的发展与挑战第14-15页
        1.3.2 平面n-i-p结构电池的发展与挑战第15-16页
        1.3.3 无空穴传输层结构电池的发展与挑战第16-17页
        1.3.4 平面p-i-n结构电池的发展与挑战第17页
    1.4 PSCs制备方法第17-18页
    1.5 PSCs性能表征第18-22页
        1.5.1 电流密度—电压曲线第18-20页
        1.5.2 器件稳定性第20页
        1.5.3 有效面积第20-21页
        1.5.4 器件成本第21-22页
    1.6 本文研究思路及内容安排第22-23页
第2章 PSCs关键制备工艺第23-33页
    2.1 材料工程第23-26页
        2.1.1 电子传输层材料第23-24页
        2.1.2 钙钛矿层材料第24-25页
        2.1.3 空穴传输层材料第25-26页
    2.2 添加剂工程第26-28页
    2.3 界面工程第28-29页
    2.4 碳电极PSCs第29-31页
    2.5 本章小结第31-33页
第3章 碳电极PSCs制备工艺优化第33-44页
    3.1 碳电极PSCs的制备流程与测试第33-35页
    3.2 温度优化实验第35-39页
        3.2.1 碘化铅前驱液温度的优化实验第36-37页
        3.2.2 碘化铅薄膜退火温度的优化实验第37-38页
        3.2.3 钙钛矿薄膜退火温度的优化实验第38-39页
    3.3 溶液浓度优化实验第39-41页
        3.3.1 碘化铅前驱液浓度的优化实验第39-40页
        3.3.2 甲基碘化胺溶液浓度的优化实验第40-41页
    3.4 碳电极制备工艺的优化实验第41-43页
    3.5 本章小结第43-44页
第4章 半导体中缺陷影响的理论模拟与实验验证第44-62页
    4.1 载流子输运模型的建立与计算第44-46页
    4.2 局域光照下的缺陷影响第46-49页
        4.2.1 局域光照下点缺陷的影响第46-47页
        4.2.2 局域光照下线缺陷的影响第47-49页
    4.3 均匀全域光照下的缺陷影响第49-51页
        4.3.1 均匀全域光照下点缺陷的影响第49-50页
        4.3.2 均匀全域光照下线缺陷的影响第50-51页
    4.4 实验设计验证第51-57页
        4.4.1 碘化铅前驱液过滤实验第53-55页
        4.4.2 辅助溶剂DMSO实验第55-57页
    4.5 最优实验方案第57-60页
    4.6 本章小结第60-62页
第5章 碳电极PSCs关键影响因素研究第62-72页
    5.1 实验建立与参数确定第62-64页
    5.2 器件性能表征第64-69页
        5.2.1 钙钛矿层的XRD表征第64-66页
        5.2.2 钙钛矿层表面形貌的SEM表征第66页
        5.2.3 钙钛矿层表面粗糙度的AFM表征第66-67页
        5.2.4 电池截面的SEM表征第67-69页
    5.3 电池性能对比第69页
    5.4 碳电极PSCs的优化策略优先级第69-71页
    5.5 本章小结第71-72页
第6章 总结与展望第72-75页
    6.1 总结第72-73页
    6.2 展望第73-75页
致谢第75-76页
参考文献第76-83页
硕士期间发表论文第83页

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