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磁控溅射法制备p型ZnO薄膜及光电性能的研究

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
第一章 绪论第8-22页
    1.1 ZnO的结构及基本性质第8-10页
    1.2 ZnO的光电特性及应用前景第10-15页
        1.2.1 太阳能电池第10-11页
        1.2.2 光电器件第11-14页
        1.2.3 紫外探测器第14-15页
    1.3 ZnO薄膜的本征点缺陷第15-16页
    1.4 ZnO薄膜的掺杂第16-20页
        1.4.1 ZnO薄膜的n型掺杂第17页
        1.4.2 ZnO薄膜的p型掺杂第17-20页
    1.5 本课题的研究意义及创新第20-22页
        1.5.1 研究背景及意义第20-21页
        1.5.2 研究内容第21页
        1.5.3 创新点第21-22页
第二章 实验设备、薄膜制备与测试方法第22-34页
    2.1 实验设备简介第22-27页
        2.1.1 磁控溅射镀膜机第22-25页
        2.1.2 磁控溅射基本原理第25-26页
        2.1.3 样品退火系统第26-27页
    2.2 薄膜制备第27-29页
        2.2.1 衬底的选取第27页
        2.2.2 衬底的清洗第27页
        2.2.3 薄膜的制备条件第27-29页
    2.3 性能评价第29-34页
        2.3.1 X射线衍射测试(XRD)第29-30页
        2.3.2 原子力显微镜(AFM)第30-31页
        2.3.3 紫外-可见光谱测试(UV-VIR)第31-32页
        2.3.4 霍尔效应测试(Hall测试)第32-34页
第三章 退火温度对N掺杂Al:ZnO薄膜性能的影响第34-41页
    3.1 样品的制备第34-35页
    3.2 真空气氛退火温度对N掺杂Al:ZnO薄膜性能的影响第35-40页
        3.2.1 退火温度对N掺杂Al:ZnO薄膜形貌的影响第35-36页
        3.2.2 退火温度对N掺杂Al:ZnO薄膜结构的影响第36-38页
        3.2.3 退火温度对N掺杂Al:ZnO薄膜光学性质的影响第38-39页
        3.2.4 退火温度对N掺杂Al:ZnO薄膜电学性质的影响第39-40页
    3.3 本章小结第40-41页
第四章 溅射功率对N掺杂Al:ZnO薄膜性能的影响第41-52页
    4.1 样品的制备第41页
    4.2 结果与讨论第41-51页
        4.2.1 氮气退火气氛下溅射功率对薄膜结构及性能的影响第41-46页
        4.2.2 真空退火下溅射功率对N掺杂Al:ZnO薄膜的影响第46-51页
    4.3 本章小结第51-52页
第五章 氮氧比对N掺杂Al:ZnO薄膜性能的影响第52-62页
    5.1 样品的制备第52页
    5.2 结果与讨论第52-60页
        5.2.1 氮气退火下氮氧比对薄膜结构及性能的影响第53-57页
        5.2.2 真空退火下氮氧比对N掺杂Al:ZnO薄膜的影响第57-60页
    5.3 本章小结第60-62页
结论第62-64页
参考文献第64-69页
致谢第69-70页
个人简历第70-71页
在学期间的研究成果及发表的学术论文第71页

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