| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-22页 |
| 1.1 ZnO的结构及基本性质 | 第8-10页 |
| 1.2 ZnO的光电特性及应用前景 | 第10-15页 |
| 1.2.1 太阳能电池 | 第10-11页 |
| 1.2.2 光电器件 | 第11-14页 |
| 1.2.3 紫外探测器 | 第14-15页 |
| 1.3 ZnO薄膜的本征点缺陷 | 第15-16页 |
| 1.4 ZnO薄膜的掺杂 | 第16-20页 |
| 1.4.1 ZnO薄膜的n型掺杂 | 第17页 |
| 1.4.2 ZnO薄膜的p型掺杂 | 第17-20页 |
| 1.5 本课题的研究意义及创新 | 第20-22页 |
| 1.5.1 研究背景及意义 | 第20-21页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第21页 |
| 1.5.3 创新点 | 第21-22页 |
| 第二章 实验设备、薄膜制备与测试方法 | 第22-34页 |
| 2.1 实验设备简介 | 第22-27页 |
| 2.1.1 磁控溅射镀膜机 | 第22-25页 |
| 2.1.2 磁控溅射基本原理 | 第25-26页 |
| 2.1.3 样品退火系统 | 第26-27页 |
| 2.2 薄膜制备 | 第27-29页 |
| 2.2.1 衬底的选取 | 第27页 |
| 2.2.2 衬底的清洗 | 第27页 |
| 2.2.3 薄膜的制备条件 | 第27-29页 |
| 2.3 性能评价 | 第29-34页 |
| 2.3.1 X射线衍射测试(XRD) | 第29-30页 |
| 2.3.2 原子力显微镜(AFM) | 第30-31页 |
| 2.3.3 紫外-可见光谱测试(UV-VIR) | 第31-32页 |
| 2.3.4 霍尔效应测试(Hall测试) | 第32-34页 |
| 第三章 退火温度对N掺杂Al:ZnO薄膜性能的影响 | 第34-41页 |
| 3.1 样品的制备 | 第34-35页 |
| 3.2 真空气氛退火温度对N掺杂Al:ZnO薄膜性能的影响 | 第35-40页 |
| 3.2.1 退火温度对N掺杂Al:ZnO薄膜形貌的影响 | 第35-36页 |
| 3.2.2 退火温度对N掺杂Al:ZnO薄膜结构的影响 | 第36-38页 |
| 3.2.3 退火温度对N掺杂Al:ZnO薄膜光学性质的影响 | 第38-39页 |
| 3.2.4 退火温度对N掺杂Al:ZnO薄膜电学性质的影响 | 第39-40页 |
| 3.3 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 溅射功率对N掺杂Al:ZnO薄膜性能的影响 | 第41-52页 |
| 4.1 样品的制备 | 第41页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第41-51页 |
| 4.2.1 氮气退火气氛下溅射功率对薄膜结构及性能的影响 | 第41-46页 |
| 4.2.2 真空退火下溅射功率对N掺杂Al:ZnO薄膜的影响 | 第46-51页 |
| 4.3 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 氮氧比对N掺杂Al:ZnO薄膜性能的影响 | 第52-62页 |
| 5.1 样品的制备 | 第52页 |
| 5.2 结果与讨论 | 第52-60页 |
| 5.2.1 氮气退火下氮氧比对薄膜结构及性能的影响 | 第53-57页 |
| 5.2.2 真空退火下氮氧比对N掺杂Al:ZnO薄膜的影响 | 第57-60页 |
| 5.3 本章小结 | 第60-62页 |
| 结论 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 个人简历 | 第70-71页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第71页 |
