| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 主要符号表 | 第18-19页 |
| 1 绪论 | 第19-43页 |
| 1.1 紫外探测器的基本原理和分类 | 第19-21页 |
| 1.1.1 光子发射型探测器 | 第20-21页 |
| 1.1.2 光电导型探测器 | 第21页 |
| 1.1.3 光伏型探测器 | 第21页 |
| 1.2 半导体光电探测器的主要特性参数 | 第21-22页 |
| 1.2.1 可探测长波极限 | 第21-22页 |
| 1.2.2 量子效率 | 第22页 |
| 1.2.3 响应速度和恢复速度 | 第22页 |
| 1.2.4 灵敏度 | 第22页 |
| 1.3 ZnO基紫外探测器 | 第22-42页 |
| 1.3.1 ZnO的基本性质 | 第23-24页 |
| 1.3.2 ZnO基紫外探测器研究现状 | 第24-42页 |
| 1.4 选题的依据和本文主要工作 | 第42-43页 |
| 2 材料的制备方法及表征方法 | 第43-49页 |
| 2.1 本文中采用的制备方法 | 第43-46页 |
| 2.1.1 真空热蒸发法 | 第43-44页 |
| 2.1.2 射频磁控溅射法 | 第44-45页 |
| 2.1.3 热氧化法 | 第45页 |
| 2.1.4 水溶液法 | 第45-46页 |
| 2.2 本文中采用的表征方法 | 第46-48页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第46页 |
| 2.2.2 X射线能谱分析(EDX) | 第46-47页 |
| 2.2.3 X射线衍射(XRD) | 第47页 |
| 2.2.4 光致发光谱(PL谱) | 第47页 |
| 2.2.5 紫外可见吸收透射光谱(UV-Vis) | 第47页 |
| 2.2.6 半导体特性测试系统 | 第47-48页 |
| 2.3 本章小结 | 第48-49页 |
| 3 ZnO纳米棒阵列的制备及其紫外光响应特性 | 第49-56页 |
| 3.1 引言 | 第49页 |
| 3.2 ZnO纳米棒阵列生长及其紫外探测器制备 | 第49-50页 |
| 3.3 ZnO纳米棒阵列形貌与晶体结构 | 第50-51页 |
| 3.4 ZnO纳米棒阵列的紫外响应特性 | 第51-55页 |
| 3.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 4 p-NiO/n-ZnO异质结制备及其紫外光响应特性 | 第56-68页 |
| 4.1 引言 | 第56页 |
| 4.2 NiO的基本特性 | 第56-58页 |
| 4.2.1 NiO的晶体结构 | 第56-57页 |
| 4.2.2 NiO的光学性质 | 第57-58页 |
| 4.2.3 NiO的电学性质 | 第58页 |
| 4.3 p-NiO/n-ZnO紫外光探测器制备 | 第58-59页 |
| 4.4 NiO与NiO/ZnO异质结材料表征 | 第59-63页 |
| 4.5 器件性能测量 | 第63-65页 |
| 4.6 原理分析 | 第65-67页 |
| 4.7 本章小结 | 第67-68页 |
| 5 柔性p-NiO/n-ZnO异质结紫外探测器应力下的光响应特性 | 第68-79页 |
| 5.1 引言 | 第68页 |
| 5.2 材料生长与器件制备 | 第68-70页 |
| 5.3 材料表征 | 第70-72页 |
| 5.4 器件性能测量 | 第72-78页 |
| 5.5 本章小结 | 第78-79页 |
| 6 结论与展望 | 第79-81页 |
| 6.1 结论 | 第79页 |
| 6.2 创新点 | 第79-80页 |
| 6.3 展望 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-93页 |
| 攻读傅士学位期间科研成果 | 第93-94页 |
| 致谢 | 第94-95页 |
| 作者简介 | 第95页 |