GaN薄膜中位错缺陷演化的研究

摘要	第4-5页
Abstract	第5-6页
1 绪论	第9-20页
1.1 研究背景与意义	第9-10页
1.2 GaN材料概述	第10-14页
1.3 GaN位错缺陷及国内外研究现状	第14-18页
1.4 本文研究内容、目的和创新点	第18-20页
2 数学物理模型与计算方法	第20-28页
2.1 位错缺陷相关理论及研究方法	第20-21页
2.2 分子动力学模拟方法	第21-25页
2.3 过渡态理论及爬坡弹性带方法	第25-27页
2.4 缺陷分析方法	第27-28页
3 氮化镓薄膜台阶位错形核及演化的分子动力学研究	第28-43页
3.1 氮化镓薄膜台阶的位错形核	第28-32页
3.2 氮化镓薄膜台阶位错形核的影响因素分析	第32-39页
3.3 氮化镓薄膜台阶位错演化的行为分析	第39-42页
3.4 本章小结	第42-43页
4 氮化镓薄膜应力条件下位错缺陷演化研究	第43-66页
4.1 引言	第43页
4.2 氮化镓刃型位错应力条件下的演化	第43-57页
4.3 氮化镓螺型位错应力条件下的演化	第57-62页
4.4 氮化镓薄膜空位缺陷及裂纹演化的研究	第62-64页
4.5 本章小结	第64-66页
5 论文总结与展望	第66-69页
5.1 本文工作总结	第66-67页
5.2 下一步工作展望	第67-69页
致谢	第69-70页
参考文献	第70-77页
附录 攻读硕士学位期间发表的主要论文和专利	第77页