| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-30页 |
| 1.1 TMDs的结构与基本性质 | 第9-13页 |
| 1.1.1 TMDs的晶体结构与能带结构 | 第9-10页 |
| 1.1.2 TMDs材料的光谱学性质 | 第10-13页 |
| 1.2 TMDs的电学性能 | 第13-15页 |
| 1.3 TMDs异质结的能带结构及制备方法 | 第15-18页 |
| 1.3.1 异质结的能带结构 | 第15-16页 |
| 1.3.2 异质结的制备方法 | 第16-18页 |
| 1.4 TMDs材料及其异质结在光电探测中的应用 | 第18-20页 |
| 1.4.1 光电探测器件简介 | 第18-19页 |
| 1.4.2 TMDs及异质结器件在光电探测中应用 | 第19-20页 |
| 1.5 本文主要研究内容 | 第20-22页 |
| 参考文献 | 第22-30页 |
| 第二章 TMDs的层数依赖光谱学研究 | 第30-41页 |
| 2.1 引言 | 第30页 |
| 2.2 TMDs材料的制备 | 第30页 |
| 2.3 不同层数TMDs的光镜及拉曼光谱研究 | 第30-35页 |
| 2.3.1 不同层数TMDs材料的层数判断 | 第30-32页 |
| 2.3.2 不同层数TMDs的拉曼光谱研究 | 第32-35页 |
| 2.4 不同层数TMDs的荧光光谱研究 | 第35-37页 |
| 2.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-41页 |
| 第三章 基于TMDs材料的异质结制备及拉曼荧光研究 | 第41-51页 |
| 3.1 引言 | 第41页 |
| 3.2 实验部分 | 第41-47页 |
| 3.2.1 TMDs异质结制备 | 第41-42页 |
| 3.2.2 WS_2/MoS_2异质结的拉曼、荧光光谱研究 | 第42-44页 |
| 3.2.3 WS_2/WSe_2异质结的拉曼、荧光光谱研究 | 第44-45页 |
| 3.2.4 WS_2/少层MoTe_2异质结的拉曼、荧光光谱研究 | 第45-47页 |
| 3.3 本章小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 第四章 激光辐照调控MoTe_2/WS_2垂直异质结层间耦合 | 第51-62页 |
| 4.1 引言 | 第51页 |
| 4.2 MoTe_2/WS_2异质结的制备 | 第51页 |
| 4.3 激光辐照MoTe_2/WS_2异质结光电性能研究 | 第51-58页 |
| 4.3.1 异质结荧光拉曼扫描表征 | 第51-53页 |
| 4.3.2 激光辐照调控异质结耦合调控异质结荧光峰位强度研究 | 第53-55页 |
| 4.3.3 激光辐照调控异质结耦合调控其电学及光探测性能研究 | 第55-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 第五章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 5.1 总结 | 第62页 |
| 5.2 展望 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 作者简介 | 第65-66页 |
| 研究成果 | 第66-67页 |
