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低压恒跨导轨至轨CMOS运算放大器的研究与设计

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第10-15页
    1.1 课题研究背景及意义第10-11页
    1.2 国内外研究进展第11-13页
    1.3 本论文的主要研究内容第13-15页
第2章 运算放大器的理论设计基础第15-24页
    2.1 MOS器件的原理及模型第15-20页
        2.1.1 MOS管的物理结构及符号第15-16页
        2.1.2 MOS管的大信号模型第16-17页
        2.1.3 MOS管的二级效应第17-19页
        2.1.4 MOS管的小信号模型第19-20页
    2.2 运算放大器的基本结构框图第20-21页
    2.3 运算放大器的主要性能参数第21-23页
    2.4 本章小结第23-24页
第3章 轨至轨运算放大器的设计第24-54页
    3.1 偏置电路的设计第24-27页
        3.1.1 简单电流源第24-25页
        3.1.2 共源共栅电流源第25-27页
    3.2 轨至轨输入级的设计第27-35页
        3.2.1 传统运放的输入级第27-28页
        3.2.2 轨至轨运放的输入级第28-30页
        3.2.3 恒定跨导的输入级第30-35页
    3.3 轨至轨输出级的设计第35-40页
        3.3.1 A类输出级第36-37页
        3.3.2 B类输出级第37-38页
        3.3.3 AB类输出级第38-40页
    3.4 带隙基准电压源的设计第40-46页
        3.4.1 带隙基准源的基本原理第40-42页
        3.4.2 带隙基准电压源核心电路设计第42-43页
        3.4.3 两级运放和启动电路设计第43-44页
        3.4.4 高阶温度补偿电路设计第44-46页
    3.5 补偿电路的设计第46-53页
        3.5.1 反馈系统的稳定性第46-47页
        3.5.2 两级运放的密勒补偿设计第47-50页
        3.5.3 三级运放的嵌套式密勒补偿设计第50-53页
    3.6 本章小结第53-54页
第4章 电路仿真及分析第54-67页
    4.1 带隙基准电压源的仿真及分析第54-57页
        4.1.1 温度特性仿真第54-55页
        4.1.2 电源抑制比仿真第55页
        4.1.3 线性调整率仿真第55-56页
        4.1.4 启动时间仿真第56-57页
    4.2 轨至轨运算放大器的仿真及分析第57-66页
        4.2.1 直流传输特性仿真第57-58页
        4.2.2 共模输入电压范围仿真第58-59页
        4.2.3 输出电压摆幅仿真第59-60页
        4.2.4 输入级跨导仿真第60页
        4.2.5 幅频相频特性仿真第60-61页
        4.2.6 电源抑制比仿真第61-62页
        4.2.7 共模抑制比仿真第62-63页
        4.2.8 转换速率和建立时间仿真第63-65页
        4.2.9 静态功耗仿真第65页
        4.2.10 运放仿真结果分析第65-66页
    4.3 本章小结第66-67页
结论第67-68页
参考文献第68-72页
攻读硕士学位期间所发表的学术论文第72-73页
致谢第73页

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