摘要 | 第4-5页 |
ABSTRACT | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第9-18页 |
1.1 引言 | 第9-10页 |
1.2 TiO_2的光催化原理 | 第10-11页 |
1.2.1 TiO_2的晶体结构 | 第10页 |
1.2.2 TiO_2光催化反应过程 | 第10-11页 |
1.3 制备TiO_2薄膜的方法 | 第11-14页 |
1.3.1 溶胶-凝胶法 | 第11-12页 |
1.3.2 水热方法 | 第12页 |
1.3.3 氧化法 | 第12-13页 |
1.3.4 电沉积方法 | 第13页 |
1.3.5 化学汽相沉积 | 第13页 |
1.3.6 物理气相沉积方法 | 第13页 |
1.3.7 超声波降解法 | 第13-14页 |
1.4 微等离子体氧化技术 | 第14-15页 |
1.4.1 微等离子体氧化机理 | 第14-15页 |
1.4.2 微等离子体氧化工艺 | 第15页 |
1.5 TiO_2光催化剂的改性研究 | 第15-16页 |
1.5.1 纯TiO_2纳米材料 | 第15-16页 |
1.5.2 金属掺杂TiO_2 | 第16页 |
1.5.3 非金属掺杂TiO_2 | 第16页 |
1.6 主要研究内容 | 第16-18页 |
第二章 实验材料与方法 | 第18-25页 |
2.1 实验材料、试剂及设备 | 第18-20页 |
2.1.1 实验材料 | 第18页 |
2.1.2 实验试剂 | 第18-19页 |
2.1.3 实验设备 | 第19-20页 |
2.2 实验方法 | 第20-22页 |
2.2.1 TiO_2薄膜制备 | 第20-21页 |
2.2.2 TiO_2薄膜结构表征与性能评价 | 第21-22页 |
2.3 TiO_2薄膜光催化性能评价方法 | 第22-25页 |
2.3.1 光催化降解装置 | 第22页 |
2.3.2 实验方法 | 第22-23页 |
2.3.3 评价指标 | 第23-25页 |
第三章 TiO_2薄膜电解液筛选及工艺参数优化 | 第25-40页 |
3.1 电解液筛选 | 第25-26页 |
3.2 磷酸二氢钾电解液体系下的工艺参数优化 | 第26-36页 |
3.2.1 电压和电流对TiO_2薄膜光催化性能的影响 | 第27-34页 |
3.2.2 电解液浓度对TiO_2薄膜光催化性能的影响 | 第34-36页 |
3.2.3 电解时间对TiO_2薄膜光催化性能的影响 | 第36页 |
3.3 TiO_2薄膜的相组成 | 第36-37页 |
3.4 TiO_2薄膜微观结构 | 第37-39页 |
3.4.1 电解液浓度对TiO_2薄膜微观结构的影响 | 第37-38页 |
3.4.2 电解时间对TiO_2薄膜微观结构的影响 | 第38-39页 |
3.5 小结 | 第39-40页 |
第四章 原位生长TiO_2薄膜的改性研究 | 第40-52页 |
4.1 引言 | 第40页 |
4.2 原位生长TiO_2薄膜的制备 | 第40页 |
4.3 CoCl_2掺杂TiO_2及其光催化性能 | 第40-44页 |
4.3.1 CoCl_2掺杂微等离子体氧化TiO_2薄膜的微结构特征 | 第40-41页 |
4.3.2 CoCl_2掺杂TiO_2薄膜晶相组成 | 第41-42页 |
4.3.3 CoCl_2掺杂TiO_2薄膜的元素组成 | 第42-43页 |
4.3.4 CoCl_2掺杂TiO_2薄膜的光催化性能 | 第43-44页 |
4.4 Co(NO_2)_2·6H_2O掺杂TiO_2及其光催化性能 | 第44-47页 |
4.4.1 Co(NO_2)_2·6H_2O掺杂微等离子体氧化TiO_2薄膜的微结构特征 | 第44-45页 |
4.4.2 Co(NO_2)_2·6H_2O掺杂TiO_2薄膜AFM分析 | 第45页 |
4.4.3 Co(NO_2)_2·6H_2O掺杂TiO_2薄膜晶相组成 | 第45-46页 |
4.4.4 Co(NO_2)_2·6H_2O掺杂TiO_2薄膜的元素组成 | 第46-47页 |
4.4.5 Co(NO_2)_2·6H_2O掺杂TiO_2薄膜的光催化性能 | 第47页 |
4.5 CdCl_2掺杂TiO_2及其光催化性能 | 第47-51页 |
4.5.1 CdCl_2掺杂微等离子体氧化TiO_2薄膜的微结构特征 | 第47-49页 |
4.5.2 CdCl_2掺杂TiO_2薄膜晶相组成 | 第49页 |
4.5.3 CdCl_2掺杂TiO_2薄膜的元素组成 | 第49-50页 |
4.5.4 CdCl_2掺杂TiO_2薄膜的光催化性能 | 第50-51页 |
4.6 小结 | 第51-52页 |
第五章 结论 | 第52-53页 |
参考文献 | 第53-56页 |
发表文章目录 | 第56-57页 |
致谢 | 第57-58页 |