摘要 | 第5-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-17页 |
1.1 MEMS概述 | 第10-13页 |
1.2 MEMS的发展历史和近状 | 第13-14页 |
1.2.1 MEMS的发展历史 | 第13页 |
1.2.2 MEMS谐振器的国内外研究近状 | 第13-14页 |
1.3 MEMS谐振器简介和分类 | 第14-15页 |
1.3.1 梁谐振器 | 第14页 |
1.3.2 梳齿谐振器 | 第14-15页 |
1.3.3 盘式谐振器 | 第15页 |
1.4 本文主要研究内容及工作安排 | 第15-17页 |
第二章 径向盘式微谐振器的结构及工作原理 | 第17-29页 |
2.1 径向盘式谐振器的工作原理 | 第17页 |
2.2 径向盘式谐振器的结构分析 | 第17-22页 |
2.2.1 等效电路模型 | 第20-21页 |
2.2.2 静电力驱动 | 第21-22页 |
2.3 MEMS径向谐振器参数分析 | 第22-24页 |
2.3.1 输出电流 | 第22-23页 |
2.3.2 品质因数 | 第23-24页 |
2.3.3 谐振频率 | 第24页 |
2.4 MEMS谐振器阵列 | 第24-28页 |
2.4.1 二分之一波长耦合梁 | 第25-27页 |
2.4.2 四分之一波长耦合梁 | 第27页 |
2.4.3 阵列动态电阻xAR | 第27-28页 |
2.5 本章小结 | 第28-29页 |
第三章 交替复合刻蚀技术对谐振器的性能影响分析 | 第29-45页 |
3.1 交替复合深刻蚀技术概述 | 第29-30页 |
3.2 凹槽效应 | 第30-38页 |
3.2.1 对谐振器电容的影响 | 第31-34页 |
3.2.2 对谐振器性能影响分析 | 第34-38页 |
3.3 扇形褶皱效应 | 第38-44页 |
3.3.1 对谐振器电容的影响 | 第39-41页 |
3.3.2 对谐振器性能影响分析 | 第41-44页 |
3.4 本章小结 | 第44-45页 |
第四章 深度反应离子刻蚀技术对谐振器的性能影响分析 | 第45-55页 |
4.1 深度反应离子刻蚀技术概述 | 第45页 |
4.2 倾斜效应 | 第45-54页 |
4.2.1 对谐振器电容的影响 | 第46-48页 |
4.2.2 对机电耦合效率的影响 | 第48-51页 |
4.2.3 对谐振频率的影响 | 第51-54页 |
4.3 本章小结 | 第54-55页 |
第五章 MEMS滤波器设计及DRIE技术引起的性能影响分析 | 第55-67页 |
5.1 RF前端微机械滤波器概述 | 第55-56页 |
5.2 MEMS滤波器原理及设计 | 第56-62页 |
5.2.1 MEMS滤波器工作原理 | 第57-59页 |
5.2.2 耦合梁的长度设计及影响 | 第59-62页 |
5.3 倾斜效应对等效电路的影响 | 第62-65页 |
5.4 倾斜效应对滤波器性能的影响 | 第65-66页 |
5.5 本章小结 | 第66-67页 |
第六章 总结与展望 | 第67-69页 |
6.1 论文总结 | 第67-68页 |
6.2 论文不足与展望 | 第68-69页 |
参考文献 | 第69-75页 |
致谢 | 第75-76页 |
附录 | 第76页 |