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半导体纳米棒阵列的制备及其光电性能的测试

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第11-31页
    1.1 简介第11-12页
    1.2 光催化分解水第12-17页
        1.2.1 概述第12-13页
        1.2.2 反应装置第13-15页
        1.2.3 半导体能级要求第15-16页
        1.2.4 光解水效率第16-17页
        1.2.5 光解水过程评估第17页
    1.3 半导体光催化剂第17-23页
        1.3.1 材料要求第17-18页
        1.3.2 提高可见光光催化剂活性的方法第18-23页
    1.4 常见半导体光催化剂及其改性第23-29页
        1.4.1 金属氧化物半导体光催化剂第23-25页
        1.4.2 金属硫化物半导体光催化剂第25-28页
        1.4.3 金属硒化物半导体光催化剂第28-29页
    1.5 本文的选题依据及主要研究内容第29-31页
第二章 实验方法第31-36页
    2.1 主要实验试剂第31页
    2.2 主要实验仪器第31-32页
    2.3 样品表征第32-33页
        2.3.1 X射线衍射(XRD)第32-33页
        2.3.2 扫描电子显微技术(SEM)第33页
        2.3.3 透射电子显微技术(TEM)第33页
        2.3.4 X射线光电子能谱技术(XPS)第33页
        2.3.5 紫外可见漫反射光谱技术(UV-vis DRS)第33页
    2.4 光电性能测试第33-36页
        2.4.1 测试装置第33-34页
        2.4.2 测试方法及条件第34-36页
第三章 ZnO/ZnS/CdS/CuInS_2 核壳结构纳米棒阵列的制备及光电性能第36-56页
    3.1 前言第36-37页
    3.2 实验部分第37-40页
        3.2.1 样品制备第37-40页
        3.2.2 样品的表征及性能测试第40页
    3.3 结果与讨论第40-55页
        3.3.1 材料的结构与形貌第40-47页
        3.3.2 样品的光电性能第47-53页
        3.3.3 光催化机理第53-55页
    3.4 本章小结第55-56页
第四章 ZnO/ZnSe/CdSe/CuxS核壳结构纳米棒阵列的制备及光电性能第56-73页
    4.1 前言第56-57页
    4.2 实验部分第57-59页
        4.2.1 样品制备第57-59页
        4.2.2 样品的表征及性能测试第59页
    4.3 结果与讨论第59-72页
        4.3.1 材料的结构与形貌表征第59-64页
        4.3.2 样品的光电性能第64-71页
        4.3.3 光催化机理第71-72页
    4.4 本章小结第72-73页
结论与展望第73-75页
    论文的主要工作第73-74页
    论文的主要创新点第74页
    工作展望第74-75页
参考文献第75-86页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第86-87页
致谢第87-88页
附件第88页

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