摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-31页 |
1.1 简介 | 第11-12页 |
1.2 光催化分解水 | 第12-17页 |
1.2.1 概述 | 第12-13页 |
1.2.2 反应装置 | 第13-15页 |
1.2.3 半导体能级要求 | 第15-16页 |
1.2.4 光解水效率 | 第16-17页 |
1.2.5 光解水过程评估 | 第17页 |
1.3 半导体光催化剂 | 第17-23页 |
1.3.1 材料要求 | 第17-18页 |
1.3.2 提高可见光光催化剂活性的方法 | 第18-23页 |
1.4 常见半导体光催化剂及其改性 | 第23-29页 |
1.4.1 金属氧化物半导体光催化剂 | 第23-25页 |
1.4.2 金属硫化物半导体光催化剂 | 第25-28页 |
1.4.3 金属硒化物半导体光催化剂 | 第28-29页 |
1.5 本文的选题依据及主要研究内容 | 第29-31页 |
第二章 实验方法 | 第31-36页 |
2.1 主要实验试剂 | 第31页 |
2.2 主要实验仪器 | 第31-32页 |
2.3 样品表征 | 第32-33页 |
2.3.1 X射线衍射(XRD) | 第32-33页 |
2.3.2 扫描电子显微技术(SEM) | 第33页 |
2.3.3 透射电子显微技术(TEM) | 第33页 |
2.3.4 X射线光电子能谱技术(XPS) | 第33页 |
2.3.5 紫外可见漫反射光谱技术(UV-vis DRS) | 第33页 |
2.4 光电性能测试 | 第33-36页 |
2.4.1 测试装置 | 第33-34页 |
2.4.2 测试方法及条件 | 第34-36页 |
第三章 ZnO/ZnS/CdS/CuInS_2 核壳结构纳米棒阵列的制备及光电性能 | 第36-56页 |
3.1 前言 | 第36-37页 |
3.2 实验部分 | 第37-40页 |
3.2.1 样品制备 | 第37-40页 |
3.2.2 样品的表征及性能测试 | 第40页 |
3.3 结果与讨论 | 第40-55页 |
3.3.1 材料的结构与形貌 | 第40-47页 |
3.3.2 样品的光电性能 | 第47-53页 |
3.3.3 光催化机理 | 第53-55页 |
3.4 本章小结 | 第55-56页 |
第四章 ZnO/ZnSe/CdSe/CuxS核壳结构纳米棒阵列的制备及光电性能 | 第56-73页 |
4.1 前言 | 第56-57页 |
4.2 实验部分 | 第57-59页 |
4.2.1 样品制备 | 第57-59页 |
4.2.2 样品的表征及性能测试 | 第59页 |
4.3 结果与讨论 | 第59-72页 |
4.3.1 材料的结构与形貌表征 | 第59-64页 |
4.3.2 样品的光电性能 | 第64-71页 |
4.3.3 光催化机理 | 第71-72页 |
4.4 本章小结 | 第72-73页 |
结论与展望 | 第73-75页 |
论文的主要工作 | 第73-74页 |
论文的主要创新点 | 第74页 |
工作展望 | 第74-75页 |
参考文献 | 第75-86页 |
攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第86-87页 |
致谢 | 第87-88页 |
附件 | 第88页 |