基于SiGe BiCMOS工艺V波段多功能收发芯片关键技术研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 V波段收发芯片研究现状 | 第11-16页 |
| 1.3 本论文的章节安排 | 第16-18页 |
| 第二章 V波段收发芯片架构及设计目标 | 第18-27页 |
| 2.1 引言 | 第18页 |
| 2.2 射频收发芯片结构分类 | 第18-24页 |
| 2.2.1 超外差接收机结构 | 第19-22页 |
| 2.2.2 零中频接收机结构 | 第22-24页 |
| 2.3 V波段收发芯片关键模块设计目标 | 第24-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 V波段低噪声放大器设计 | 第27-48页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 低噪声放大器的性能指标 | 第27-30页 |
| 3.2.1 噪声系数NF | 第27-28页 |
| 3.2.2 增益及增益平坦度 | 第28页 |
| 3.2.3 动态范围 | 第28-29页 |
| 3.2.4 端口匹配 | 第29页 |
| 3.2.5 稳定性 | 第29-30页 |
| 3.2.6 V波段低噪声放大器的指标要求 | 第30页 |
| 3.3 V波段的低噪声放大器设计 | 第30-47页 |
| 3.3.1 V波段的低噪声放大器设计思路 | 第30-32页 |
| 3.3.2 V波段的低噪声放大器仿真 | 第32-47页 |
| 3.3.2.1 低噪声放大器原理图设计 | 第32-41页 |
| 3.3.2.2 低噪声放大器版图设计及仿真结果 | 第41-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 V波段零中频混频器设计 | 第48-59页 |
| 4.1 引言 | 第48-49页 |
| 4.2 Gilbert混频器工作原理 | 第49-51页 |
| 4.3 混频器的性能指标 | 第51-52页 |
| 4.3.1 变频增益 | 第51-52页 |
| 4.3.2 噪声 | 第52页 |
| 4.3.3 线性度 | 第52页 |
| 4.4 混频器巴伦设计 | 第52-54页 |
| 4.5 混频器仿真 | 第54-58页 |
| 4.5.1 混频器原理图设计 | 第54-55页 |
| 4.5.2 混频器版图设计 | 第55-58页 |
| 4.6 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 DC~10GHz放大器设计 | 第59-73页 |
| 5.1 引言 | 第59-60页 |
| 5.2 分布式放大器原理 | 第60-61页 |
| 5.3 分布式放大器设计 | 第61-72页 |
| 5.3.1 分布式放大器结构 | 第61-62页 |
| 5.3.2 分布式放大器设计 | 第62-72页 |
| 5.3.2.1 分布式放大器设计要求 | 第62-63页 |
| 5.3.2.2 分布式放大器仿真 | 第63-69页 |
| 5.3.2.3 分布式放大器版图设计 | 第69-72页 |
| 5.4 本章小结 | 第72-73页 |
| 第六章 总结与展望 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 攻读硕士期间取得的成果 | 第79页 |
