自钳位IGBT的分析与设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 自钳位IGBT的产生 | 第10-12页 |
| 1.2 自钳位IGBT的发展 | 第12-15页 |
| 1.3 本文的研究意义与主要工作 | 第15-16页 |
| 第二章 IGBT的理论分析 | 第16-30页 |
| 2.1 IGBT的发展 | 第16-20页 |
| 2.1.1 元胞技术 | 第16-17页 |
| 2.1.2 结终端技术 | 第17-20页 |
| 2.1.3 小结 | 第20页 |
| 2.2 PT-IGBT的理论分析 | 第20-28页 |
| 2.2.1 工作机理 | 第20-21页 |
| 2.2.2 静态参数 | 第21-24页 |
| 2.2.3 动态特性 | 第24-26页 |
| 2.2.4 闩锁（Latch Up）效应 | 第26-28页 |
| 2.3 单脉冲雪崩耐量EAS | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 自钳位IGBT的原理 | 第30-34页 |
| 3.1 自钳位IGBT的构架 | 第30-31页 |
| 3.2 自钳位IGBT的工作机理 | 第31-32页 |
| 3.3 自钳位IGBT的性能指标 | 第32-33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 自钳位IGBT的设计 | 第34-65页 |
| 4.1 结构与参数指标 | 第34-35页 |
| 4.2 工艺流程 | 第35-36页 |
| 4.3 IGBT的设计 | 第36-49页 |
| 4.3.1 元胞 | 第36-44页 |
| 4.3.2 终端 | 第44-49页 |
| 4.4 多晶硅二极管的设计 | 第49-61页 |
| 4.4.1 G-E间多晶硅二极管D2 | 第49-53页 |
| 4.4.2 G-C间多晶硅二极管D1 | 第53-56页 |
| 4.4.3 ESD能力 | 第56-61页 |
| 4.5 多晶硅电阻的设计 | 第61页 |
| 4.6 版图设计 | 第61-64页 |
| 4.7 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 自钳位IGBT的测试与分析 | 第65-68页 |
| 5.1 阈值电压VGE(TH) | 第65页 |
| 5.2 G-E间特性曲线 | 第65-66页 |
| 5.3 C-E间特性曲线 | 第66-67页 |
| 5.4 E-C间特性曲线 | 第67页 |
| 5.5 本章小结 | 第67-68页 |
| 第六章 结论 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第73-74页 |
